
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:TO-78-6
- 技术参数:TRANS 2PNP 36V 20MA TO-78-6
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MAT03EH是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能双PNP晶体管阵列,采用经典的TO-78-6金属罐封装,专为精密模拟电路设计。该器件集成了两个电气特性高度匹配的PNP晶体管于同一硅片上,这种单片集成架构确保了极佳的热耦合与参数一致性,为差分放大器、电流镜、对数放大器等需要精密匹配对管的电路提供了理想的基础元件。其金属封装不仅提供了优良的电磁屏蔽和散热性能,也体现了该产品面向高可靠性、严苛环境应用的设计初衷。
该晶体管的核心优势在于其卓越的匹配特性与低噪声性能。两个晶体管经过精密制造工艺,在VBE匹配、hFE(电流增益)匹配以及温度跟踪特性上表现优异,这对于消除由器件失配引起的直流误差和温漂至关重要。高达190MHz的过渡频率使其能够胜任中频信号处理应用,而极低的集电极-发射极饱和压降(典型值远低于100mV @ 1mA)则保证了在低电压工作区间仍能保持优异的线性度,有效扩展了动态范围。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,满足工业及军用温度等级要求。
在电气参数方面,MAT03EH的集电极-发射极击穿电压最大值为36V,最大集电极电流为20mA,最大功耗为500mW。这些参数定义了一个稳定可靠的工作窗口,使其非常适合用于前置放大器的输入级、精密电流源、电压基准源以及传感器接口电路中。其通孔安装方式便于在实验板或高可靠性PCB上进行焊接和调试。尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有系统和追求极致性能的设计中,它依然是无可替代的选择,用户可通过正规的ADI授权代理渠道获取库存或寻找替代方案咨询。
基于其精密匹配和低噪声的特性,MAT03EH的传统优势应用场景主要集中在测试测量仪器、医疗设备前端、音频高保真放大以及航空航天电子系统中,用于构建高性能的差分输入级、对数转换电路和温度补偿电路。在这些领域,其对信号完整性的细微提升往往决定了整个系统的最终性能指标。
- 型号:MAT03EH
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:TO-78-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 2PNP 36V 20MA TO-78-6
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:2 PNP(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):36V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):100mV @ 100A,1mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
- 功率 - 最大值:500mW
- 频率 - 跃迁:190MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装:TO-78-6
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MAT03EH是ADI公司生产的一款采用TO-78-6金属封装的精密双PNP晶体管阵列。该器件集成了两个高度匹配的PNP晶体管,其设计专注于提供优异的参数一致性与热跟踪性能,核心参数包括36V的集射极击穿电压、20mA的最大集电极电流以及190MHz的过渡频率。
其关键卖点在于极低的VCE饱和压降(最大值100mV @ 1mA)和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),这使其能够在低电压条件下保持良好线性,并适应严苛的环境。这些特性使其成为构建精密差分放大器、电流镜和低电平信号处理电路的理想基础元件,尤其适用于对匹配度和温度稳定性要求极高的模拟前端设计。



















