HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。此外，无需外部电感便可实现放大器偏置。同时，RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BF10中。

HMC8205BF10非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。

HMC8205BF10放大器采用10引脚陶瓷芯片载体(LDCC)封装。

HMC8205BCHIPS是一款氮化镓(GaN)、宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.4 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。无需外部电感便可实现放大器偏置。此外，RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BCHIPS中。

HMC8205BCHIPS非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。

应用

• 军用干扰发射器
• 商用和军事雷达
• 针对无线基础设施的功率放大器级
• 测试与测量设备

• 高 PSAT：46 dBm
• 高功率增益：20 dB 
• 高 PAE：38% 
• 瞬时带宽：0.3 GHz 到 6 GHz
• 电源电压：VDD = 50 V，1300 mA 
• 10 引脚 LDCC 封装

HMC8205BCHIPS，封装：CHIPS OR DIE，包装形式及数量：托盘，5，工作温度：-55 to 85C，AD官网报价：615.6（100-499个）

HMC8205BF10，封装：10-Lead LDCC (11.43mm x 17.32mm)，包装形式及数量：托盘，10，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：627（100-499个）

HMC8205BF10-50，封装：10-Lead LDCC (11.43mm x 17.32mm)，包装形式及数量：托盘，50，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：

EVAL-HMC8205：HMC8205 评估板

EV1HMC8205BF10评估板是一款两层PCB，采用10 mil厚Rogers 4350B铜箔制造。该PCB安装在铜制散热器上，有助于器件散热并向PCB提供机械支持。安装孔便于轻松连接至较大的散热器，以便改善热管理性能。RFIN和RFOUT端口填充有2.9 mm插口同轴连接器，且其各自的RF走线具有50 特征阻抗。该板配有在器件的整个工作温度范围内适用的元件。有关直流连接、偏置和典型性能的信息，请参阅HMC8205数据手册。