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HMC451LC3TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:16-SMT(3x3)
  • 技术参数:IC RF AMP GPS 5GHZ-20GHZ 16SMT
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HMC451LC3TR 技术参数详情:

作为一款覆盖5GHz至20GHz超宽频段的通用射频放大器,HMC451LC3TR采用了基于GaAs pHEMT工艺的成熟MMIC(单片微波集成电路)设计。这种架构确保了器件在毫米波频段前端具有出色的线性度、增益平坦度以及稳定的温度性能。其内部集成了匹配网络和偏置电路,极大简化了外部设计复杂度,用户仅需提供单路+5V电源和简单的隔直、滤波外围电路即可使其稳定工作,显著缩短了开发周期并降低了系统BOM成本。

该放大器在提供高达17dB典型增益的同时,保持了优异的线性输出能力,其输出1dB压缩点(P1dB)典型值达到+19.5dBm。这一特性使其能够在驱动后续混频器或功率放大器时,有效提升整个接收或发射链路的动态范围与抗干扰能力。7dB的噪声系数在同类宽带放大器中表现均衡,使其在低噪声放大(LNA)应用与驱动放大应用之间取得了良好的平衡。其工作电流典型值为114mA,功耗控制合理,适合对功耗有要求的便携式或高密度集成设备。

器件采用紧凑的16引脚、3mm x 3mm QFN(VFQFN-N)表面贴装封装,具有良好的散热性能和射频接地特性,便于在多层PCB板上实现高密度布局。其接口设计简洁,射频输入输出端口内部已进行50欧姆匹配,极大方便了电路板布局与仿真。供电方面,仅需单+5V电压,并通过内部电路实现稳定的栅极偏置,确保了工作点在不同温度和批次间的一致性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是保障产品真伪与长期可获得性的重要途径。

凭借其超宽带、高增益和高线性度的核心特性,HMC451LC3TR非常适合应用于点对点无线电、卫星通信、微波回程、测试测量仪器以及军用电子战(EW)和雷达系统等领域。在微波接收机中,它可作为前置驱动放大器,提升信号链增益;在发射机中,可作为末级驱动,为功率放大器提供足够的激励电平。其宽频带特性也使其成为宽带扫频源、频率综合模块以及一体化多功能射频单元中的理想增益模块。

  • 型号:HMC451LC3TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-SMT(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP GPS 5GHZ-20GHZ 16SMT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 频率:5GHz ~ 20GHz
  • P1dB:19.5dBm
  • 增益:17dB
  • 噪声系数:7dB
  • 射频类型:通用
  • 电压 - 供电:5V
  • 电流 - 供电:114mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-SMT(3x3)
  • HMC451LC3TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC451LC3TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款通用型射频放大器MMIC,工作频率覆盖5GHz至20GHz的宽范围。该器件采用表面贴装封装,在单+5V电源供电下,可提供17dB的典型增益和+19.5dBm的输出1dB压缩点,具备良好的线性输出能力。

其7dB的噪声系数与114mA的静态电流,在增益、线性度与功耗之间实现了优化平衡。该放大器内部集成匹配网络,简化了外部电路设计,主要面向点对点通信、卫星终端、测试设备及国防电子等需要宽带、高增益放大功能的应用场景。

LTC694-3.3:3.3V 微处理器监控电路
HMC994A-DIE:GaAs、PHEMT、MMIC、1/2 W功率放大器芯片或功率放大器,DC至28 GHz或30 GHz
AD7985:16位、2.5 MSPS、11 mW PulSAR ADC,采用QFN封装
LT6003:1.6V、1μA 精准轨至轨输入和输出运放
ADUM231E:鲁棒的5kV RMS三通道数字隔离器,输出使能(2/1通道方向性)
AD7694:250 kSPS、16位PulSAR ADC,采用µSOIC封装
AD9613:12位、170/210/250 MSPS、1.8 V双通道模数转换器(ADC)
AD5721R:集成2 PPM/C基准电压源的多范围、12位、单极性电压输出型DAC
ADR03:超紧凑精密 2.5 V 基准电压源
AD9755:14位、300 MSPS高速TxDAC+数模转换器
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