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快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
(2025年10月19日更新)

亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.,简称AD)凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N通道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET保持开关无限期连接。LTC7001强大的1Ω转换时间很短,35ns传播延迟,驱动栅极电容非常方便MOSFET,因此,适用于高频开关和静态开关。

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LTC7001用于接收基于地面的低压数字输入信号,并快速驱动0V至135V(绝对最大值为150V)高压侧N通道的功率MOSFET。LTC7001在3.5V至15V驱动器偏置在电源范围内运行,可调欠压闭锁。当驱动一个1000pF负载时,快速13ns开关损度地减少开关损耗。其它特点包括可调接通转换率和可调过压锁。

LTC7001采用MSOP-10包装,其引线配置提供高压间隔。该装置有三种工作结温版本,扩展和工业版本的温度范围为–40°C至125°C,高温汽车级版本为–40°C至150°C,军级版为–55°C至150°C。批购价为每片2.40美元。如需更多信息,请登录www.linear.com.cn/product/LTC7001。

照片描述:快速150V高压侧N沟MOSFET静态开关驱动器

性能概要:LTC7001

·宽VIN工作范围:0V至135V(150V绝对最大值)

·内部充电泵占空比100%

·1Ω下拉、2.2Ω上拉实现快速连接和断开时间

·快速35ns传播延迟

·可调接通转换率

·3.5V至15V栅极驱动电源

·可调驱动电源VCC欠压闭锁

·可调VIN过压闭锁

·CMOS兼容输入

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