亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.，简称AD)凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N通道MOSFET驱动器LTC7001，该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET保持开关无限期连接。LTC7001强大的1Ω转换时间很短，35ns传播延迟，驱动栅极电容非常方便MOSFET，因此，适用于高频开关和静态开关。

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LTC7001用于接收基于地面的低压数字输入信号，并快速驱动0V至135V(绝对最大值为150V)高压侧N通道的功率MOSFET。LTC7001在3.5V至15V驱动器偏置在电源范围内运行，可调欠压闭锁。当驱动一个1000pF负载时，快速13ns开关损度地减少开关损耗。其它特点包括可调接通转换率和可调过压锁。

LTC7001采用MSOP-10包装，其引线配置提供高压间隔。该装置有三种工作结温版本，扩展和工业版本的温度范围为40°C至125°C，高温汽车级版本为40°C至150°C，军级版为55°C至150°C。批购价为每片2.40美元。如需更多信息，请登录www.linear.com.cn/product/LTC7001。

照片描述:快速150V高压侧N沟MOSFET静态开关驱动器

性能概要：LTC7001

宽VIN工作范围：0V至135V(150V绝对最大值)

内部充电泵占空比100%

1Ω下拉、2.2Ω上拉实现快速连接和断开时间

快速35ns传播延迟

可调接通转换率

3.5V至15V栅极驱动电源

可调驱动电源VCC欠压闭锁

可调VIN过压闭锁

CMOS兼容输入