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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
  • 技术参数:IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
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OP293ESZ 技术参数详情:

OP293ESZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款通用型运算放大器,采用单通道设计,封装于标准的8引脚SOIC表面贴装封装内。该器件基于成熟的精密模拟架构,旨在提供稳定可靠的放大功能,其设计重点在于在宽电源电压范围内保持优异的直流精度和低功耗特性,使其成为各类工业与消费电子系统中信号调理环节的基础构建模块。

该运算放大器具备极宽的电源电压范围,支持单电源1.7V至36V或双电源±0.85V至±18V供电,这为设计者提供了极大的灵活性,使其既能适应电池供电的低压便携设备,也能集成到采用较高电压的工业控制系统中。其低至100V的输入失调电压和仅15nA的输入偏置电流确保了出色的直流精度,减少了信号链前端的误差。同时,其35kHz的增益带宽积和0.015V/s的压摆率表明它专为处理低频或直流信号而优化,非常适合精密测量和传感器接口应用。

在接口与参数方面,OP293ESZ能够提供高达25mA的输出电流,增强了其驱动适度负载的能力。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,保证了在恶劣环境下的可靠运行。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。这些参数共同塑造了一款侧重于精度、鲁棒性和适用性的放大器。

基于上述特性,该芯片广泛应用于需要高直流精度和宽电压适应性的场景。典型应用包括工业过程控制中的传感器信号调理(如温度、压力传感器)、便携式医疗设备的低功耗前端放大、电池供电仪器仪表的电平转换与缓冲,以及汽车电子系统中的各类监控电路。其稳健的设计使其成为工程师在构建可靠、精密的模拟信号处理链路时的经典选择之一。

  • 型号:OP293ESZ
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:标准(通用)
  • 电路数:1
  • 输出类型:-
  • 压摆率:0.015V/s
  • 增益带宽积:35 kHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:15 nA
  • 电压 - 输入补偿:100 V
  • 电流 - 供电:-
  • 电流 - 输出/通道:25 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):1.7 V
  • 电压 - 跨度(最大值):36 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • OP293ESZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

OP293ESZ是ADI(Analog Devices)生产的一款通用单运算放大器,采用8-SOIC封装。该器件的核心优势在于其卓越的直流精度与极宽的电源电压适应性。

它提供低至100V的输入失调电压和15nA的输入偏置电流,确保了信号调理前端的高精度。其电源电压范围覆盖单电源1.7V至36V或双电源±0.85V至±18V,并能在-40°C至125°C的工业温度范围内稳定工作,输出电流达25mA,非常适合要求严苛的工业控制、传感器接口及便携式设备应用。

HMC8401-DIE:DC至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器
HMC-C007:InGaP HBT 8分频模块,0.5 - 18 GHz
HMC1119:0.25dB LSB、7位硅数字衰减器,0.1 GHz至6.0 GHz
HMC383-DIE:中等功率放大器芯片,12 - 30 GHz
ADN4621:7.5 kV RMS/3.75 kV rms 双通道 LVDS 2.5 Gbps 隔离器(1 个反向通道)
LT1208:双通道 45MHz、400V/μs 运算放大器
LT3650-8.2:高电压、2A、单片式、两节锂离子电池充电器
ADCMP392:处于已知上电状态的双通道比较器
LTC2984:具有 EEPROM 的多传感器高准确度数字温度测量系统
ADG2188:I2C CMOS S 8 × 8无缓冲模拟开关阵列,采用双/单电源供电
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