简介

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绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)车载充电器、非车载充电器等经济高效的高压应用解决方案DC-DC快速充电器，开关模式电源(SMPS)应用程序 kHz。IGBT如图1所示，可选择单个装置，甚至半桥装置。

本应用笔记所述设计APTGT75A120 IGBT采用快速沟槽设备Microsemi Corporation专有视场光阑IGBT技术。该IGBT该装置还具有低拖尾电流，高达20 kHz由于对称设计，开关频率和软恢复并联二极管具有低杂散电感。选定IGBT高集成度的模块可以在高频率下提供最佳性能，并具有较低的结壳热阻。

使用AD公司的栅极驱动技术驱动IGBT。ADuM4135栅极驱动器是单通道设备>25 V在工作电压下（VDD至VSS），典型的驱动能力为7 A源电流和AD是什么品牌灌溉电流。该装置最小1000 kV/μs共模瞬变抗扰度(CMTI)。ADuM4135可提供高达300 V因此，±15 V电源足以满足此应用。

表2.设备设置完整

图3.栅极驱动配电板测试连接图

测试结果

无负载测试

在无负载测试设置中，在模块输出端吸收低输出电流 Ω的电阻。

表3显示了无负载电气测试设置的重要组成部分，负载中的电流较低。表4显示了模块上观察到的温度。表3和表4总结了观察到的结果。图5至图10显示了各种电压和开关频率的开关波形测试结果。

如表3所示，测试1和测试2在600 V在电压下执行。 kHz开关频率下执行，20年测试 kHz执行开关频率。测试3900 V电压下执行，开关频率为10 kHz。

图4显示了无负载测试的电气设置。

1 VDC是HV 和HV?电压。

2 IIN表示通过U输入电流1。

表4.无负载试验，温度总结1

1 通过热摄像头记录所有温度。

2 从变压器测量。

开关IGBT的性能图

该测试结果显示了不同目标电压下的开关波形fSW = 10 kHz和20 kHz。VDS漏极-源极电压，VGS是栅极-源极电压。

1 IOUT是负载电阻R输出电流1中。

2 VOUT是R输出电压在两端。

3 POUT是输出功率(IOUT × VOUT)。

开关IGBT性能图和无负载试验

这部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目标电压下的开关波形。

1 PIN是输入电源(IIN × VIN)，其中VIN是直流电源电压。

开关IGBT性能图和负载测试

此部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz不同目标电压下的开关波形。

图24.ADuM4135栅极驱动器板原理图

结论

ADuM4135栅极驱动器具有优异的电流驱动能力、适当的电源范围和100 kV/μs的强大CMTI驱动能力IGBT提供优异的性能。

本应用笔记中提供的数据显示，ADuM4135评估板驱动IGBT高压应用解决方案。