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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444IMS8E#WPBF 技术参数详情：
还在为复杂的MOSFET驱动设计而头疼吗？LTC4444IMS8E#WPBF这颗高性能半桥栅极驱动器，就是您简化设计、提升效率的得力助手。它能为您精准、高效地驱动N沟道MOSFET，其强大的3A拉电流和2.5A灌电流输出能力，确保开关动作干净利落，大幅降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。
这颗芯片能轻松应对高达114V的高压侧电压，并具备纳秒级的快速开关特性（典型值8ns上升，5ns下降），让您轻松实现高频率、高效率的电源转换。其宽工作电压范围（7.2V~13.5V）和宽广的温度范围（-40°C ~ 125°C），结合汽车级AEC-Q100的可靠品质，确保您的产品在各种严苛环境下稳定运行，助您打造出更具市场竞争力的电源解决方案。
- 制造商产品型号：LTC4444IMS8E#WPBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4444IMS8E#WPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADUM2211：双通道数字隔离器、5KV
HMC722LP3E：具有可编程输出电压的13 Gbps、快速上升时间AND/NAND/OR/NOR栅极
LT1962：300mA、低噪声 、微功率 LDO 稳压器
AD7401：隔离式Σ-Δ调制器
ADCMP343：可编程迟滞、内置基准电压源的双路0.275%比较器
HMC570LC5：I/Q接收机，采用SMT封装，17 - 21 GHz
LTC1840：具两线式接口的双通道风扇控制器
LTC2247：14 位、40Msps、低功率 3V ADC
AD5752：完整的双通道、16位、串行输入、单极性/双极性、电压输出DAC
ADCMP393：已知上电状态的四通道比较器
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