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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444EMS8E#PBF 技术参数详情：
您正在寻找一颗能强力、精准且可靠地驱动功率MOSFET的芯片吗？LTC4444EMS8E#PBF正是为您而来。这颗来自ADI的半桥栅极驱动器，拥有高达3A的峰值拉电流和2.5A的灌电流，能以纳秒级的超快速度（典型值8ns/5ns）切换MOSFET，从而让您的开关电源或电机驱动系统获得极高的效率和出色的动态响应。
它专为驱动N沟道MOSFET设计，工作电压范围7.2V至13.5V，并支持高达114V的自举电压，让您轻松应对高压侧驱动的挑战。其独立的通道和宽泛的工作温度（-40°C ~ 125°C），确保了在工业、通信及汽车等严苛环境下的稳定运行。简而言之，LTC4444EMS8E#PBF能为您提供一个高效、坚固的驱动解决方案，让您的功率转换设计既强大又省心。
- 制造商产品型号：LTC4444EMS8E#PBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4444EMS8E#PBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC657LP2：固定无源SMT衰减器，DC - 25 GHz
LTC4274：单通道 PoE+ PSE 控制器
LTC1861：采用 MSOP 封装的微功率、12 位、250ksps 双通道 ADC
ADL5561：2.9 GHz超低失真射频/中频差分放大器
RH1128M：超低噪声、精准高速运算放大器
HMC570-DIE：GaAs MMIC I/Q接收机芯片，17 - 21 GHz
ADV7280：10位、4倍过采样SDTV视频解码器，支持去隔行
LTC1408：具有关断功能的6通道、14位、600ksps、同步采样ADC
LT3024：双通道 100mA/500mA 低压差、低噪声、微功率稳压器
HMC445：x16有源倍频器，采用SMT封装，9.9 to 11.2 GHz Fout
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