
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器,封装:16-MSOP-EP
- 技术参数:IC CONTROLLER GATE DR 16MSOP
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LTC3765EMSE#TRPBF是一款由ADI(Analog Devices)公司推出的高性能次级侧同步整流(SR)控制器,隶属于其创新的Direct Flux Limit系列。该芯片采用16引脚MSOP封装,专为优化隔离式开关电源(SMPS)在连续导通模式(CCM)、断续导通模式(DCM)以及准谐振(QR)反激式拓扑中的效率而设计。其核心在于通过精确的栅极驱动控制,替代传统肖特基二极管,驱动外部的N沟道MOSFET,从而显著降低次级侧的整流损耗,提升系统整体能效。
该控制器集成了多项先进功能以保障系统的可靠性与高性能。其独特的Direct Flux Limit技术通过直接检测变压器磁通量来设定精确的电流限值,这比传统的基于电压检测的方法响应更快、更准确,能有效防止变压器饱和和MOSFET过流,尤其在输入电压或负载瞬变时提供强有力的保护。芯片内置了强大的栅极驱动器,能够快速开启和关断大电流MOSFET,最小化开关损耗。同时,它具备智能的自适应死区时间控制,可以防止在CCM模式下出现交叉导通,并优化DCM/QR模式下的导通时序以捕获每个开关周期中的能量。
在接口与参数方面,LTC3765EMSE#TRPBF设计简洁而强大。其供电电压范围(VCC)为7.7V至14.5V,典型工作电流仅为1.7mA,有助于降低待机功耗。芯片工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,确保在严苛环境下稳定运行。其表面贴装型16-TFSOP封装节省了PCB空间,适合高密度设计。对于关键的系统设计支持与正品供应,工程师可以通过ADI授权代理获取完整的技术资料、评估板以及供应链服务。
这款控制器主要面向需要高效率和高功率密度的AC-DC电源适配器、充电器、工业电源以及通信电源等应用场景。它特别适用于那些采用USB PD、QC等快速充电协议的系统,在这些应用中,高效率转换 across a wide load range 是核心要求。通过使用LTC3765EMSE#TRPBF,设计人员能够轻松满足日益严格的能效标准(如DoE Level VI, CoC Tier 2),并实现更小尺寸、更低温升的电源解决方案。
- 型号:LTC3765EMSE#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-MSOP-EP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器
- 描述:IC CONTROLLER GATE DR 16MSOP
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 应用:次级侧控制器
- 电压 - 输入:-
- 电压 - 供电:7.7V ~ 14.5V
- 电流 - 供电:1.7 mA
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
- 供应商器件封装:16-MSOP-EP
- LTC3765EMSE#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
LTC3765EMSE#TRPBF是ADI公司推出的一款用于次级侧同步整流的控制器IC,采用16-TFSOP封装。其核心价值在于提升隔离式反激电源的转换效率,通过驱动外部N-MOSFET替代传统整流二极管,大幅降低导通损耗。
该器件基于Direct Flux Limit系列技术,工作电压范围为7.7V至14.5V,功耗极低。其关键特性包括精确的磁通量检测限流、自适应死区时间控制以及强大的栅极驱动能力,确保在CCM、DCM和QR多种工作模式下均能实现高效、可靠的整流操作,并有效防止变压器饱和和MOSFET过流。



















