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  • 制造厂商:AD
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444IMS8E#WTRPBF 技术参数详情:

还在为电源系统的驱动效率与可靠性头疼吗?LTC4444IMS8E#WTRPBF就是您期待的答案。这颗高性能半桥栅极驱动器,能为您精准、高效地驱动N沟道MOSFET,其高达3A的拉出电流和2.5A的灌入电流,让功率开关管得以迅猛且干净地动作,从而大幅提升整体电源转换效率,并有效降低热损耗。

它为您简化了复杂的设计。宽达7.2V至13.5V的供电范围与114V的最大自举电压,赋予了您极大的设计灵活度,轻松应对高压侧驱动挑战。超短的上升下降时间(典型值8ns/5ns)确保了极高的开关频率能力,让您的系统响应更快、更精准。无论是面对工业环境的严苛考验,还是追求汽车电子级的卓越品质,它都能让您的产品稳如磐石,性能出众。

  • 制造商产品型号:LTC4444IMS8E#WTRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:7.2V ~ 13.5V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:1.85V,3.25V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):2.5A,3A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):114V
  • 上升/下降时间(典型值):8ns,5ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
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