- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:10-MSOP
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
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LT8672EMS#PBF是一款由ADI（Analog Devices）设计生产的高性能单通道高端栅极驱动器，采用紧凑的10-MSOP封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET而优化，其核心架构基于一个集成了自举二极管和精密电平转换电路的高压侧驱动单元。这种设计允许驱动器在高达42V的电源电压下稳定工作，同时通过内部集成的自举功能，能够高效地为高端开关提供高于电源电压的栅极驱动电压，从而确保MOSFET在完全增强模式下可靠导通，这对于许多开关电源拓扑和电机控制应用至关重要。
该芯片的功能特点突出其高集成度与鲁棒性。其宽范围的工作电压（3V至42V）使其能够适应多种电源环境，从低电压电池供电系统到工业级高压总线。作为一款高端驱动器，它提供了非反相的逻辑输入，简化了与控制器的接口设计。内部集成的自举二极管消除了对外部离散二极管的需求，不仅节省了PCB空间和物料成本，还通过优化二极管特性提升了自举充电效率和可靠性。其设计确保了在-40°C至125°C的结温范围内稳定运行，满足严苛的工业与汽车应用环境要求。
在接口与关键参数方面，LT8672EMS#PBF采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其单通道、高端驱动的配置，直接面向需要控制连接在电源总线与负载之间的开关管的应用场景。虽然具体的峰值输出电流和上升/下降时间参数未在基础描述中详列，但其作为ADI电源管理IC栅极驱动器系列的一员，继承了该系列在开关速度、驱动强度和抗干扰能力方面的优良特性。用户可以通过ADI中国代理获取完整的数据手册以进行精确的电路设计和性能评估。
基于其技术特性，LT8672EMS#PBF非常适合应用于需要高效、可靠高端开关控制的领域。典型应用包括DC/DC转换器中的同步整流高端开关、电机驱动和电磁阀控制中的H桥或半桥电路的高侧驱动，以及工业自动化系统中的电源隔离开关。在这些场景中，其紧凑的尺寸、宽电压范围和高集成度优势得以充分发挥，帮助系统设计师实现更高的功率密度和系统可靠性。
- 型号:LT8672EMS#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:10-MSOP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:-
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 供应商器件封装:10-MSOP
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LT8672EMS#PBF是ADI公司推出的一款单通道高端栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET，其核心优势在于3V至42V的宽电源电压工作范围以及内部集成了自举二极管，这简化了高压侧驱动的电路设计并提升了系统可靠性。
该芯片采用10-MSOP表面贴装封装，支持-40°C至125°C的工业级工作温度，具备非反相输入接口。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业控制系统中实现高效、紧凑高端开关驱动的理想解决方案。
