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LT8609SIV#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器,封装:16-LQFN(3x3)
  • 技术参数:IC REG BUCK ADJ 2A 16LQFN
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LT8609SIV#TRPBF 技术参数详情:

LT8609SIV#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能同步降压开关稳压器。该器件采用先进的单片式架构,内部集成了高效率的N沟道MOSFET开关和同步整流器,显著减少了外部元件数量并优化了整体解决方案的尺寸。其控制环路基于恒定频率、峰值电流模式架构,提供了出色的瞬态响应和稳定的环路性能,即使在宽输入电压和负载变化条件下也能保持可靠运行。

该稳压器具备多项关键特性以满足严苛的工业与汽车应用需求。其宽输入电压范围(3V至42V)使其能够直接处理来自汽车电池、工业总线或多种电池组的电压,并承受负载突降等瞬态事件。高达2A的连续输出电流(峰值3A)能力,结合可调开关频率(200kHz至2.2MHz),为设计人员提供了灵活性,可以在效率、解决方案尺寸和EMI性能之间进行权衡。其同步整流设计在宽负载范围内实现了高效率,而可调至0.782V的低输出电压则支持为现代微处理器、FPGA和ASIC等低压核心供电。

在接口与参数方面,该器件提供了一个反馈引脚(FB)用于设置可调输出电压,一个频率调节引脚(RT)用于设置开关频率,以及使能(RUN)和电源良好(PG)引脚以实现电源时序控制和系统监控。其工作结温范围为-40°C至125°C,确保了在极端环境下的可靠性。器件采用紧凑的16引脚TFQFN封装,并支持表面贴装,适合高密度PCB布局。对于需要稳定供应和设计支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关技术资源。

基于其稳健的性能,LT8609SIV#TRPBF非常适合应用于要求高可靠性和高效率的领域。在汽车电子中,它可用于信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)和车身控制模块的电源转换。在工业自动化领域,它能为PLC、传感器和现场总线设备供电。此外,其在通信基础设施、测试与测量设备以及分布式电源系统中也有着广泛的应用前景,为工程师提供了一个高效、紧凑且可靠的电源解决方案。

  • 型号:LT8609SIV#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-LQFN(3x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
  • 描述:IC REG BUCK ADJ 2A 16LQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:降压
  • 输出配置:正
  • 拓扑:降压
  • 输出类型:可调式
  • 输出数:1
  • 电压 - 输入(最小值):3V
  • 电压 - 输入(最大值):42V
  • 电压 - 输出(最小值/固定):0.782V
  • 电压 - 输出(最大值):42V
  • 电流 - 输出:2A
  • 频率 - 开关:200kHz ~ 2.2MHz
  • 同步整流器:是
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-TFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-LQFN(3x3)
  • LT8609SIV#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT8609SIV#TRPBF是ADI公司推出的一款同步降压开关稳压器,属于电源管理IC中的DC/DC开关稳压器类别。该器件采用正输出、可调式降压拓扑,能够将3V至42V的宽范围输入电压转换为低至0.782V的可调输出电压,并提供高达2A的连续输出电流(峰值3A)。

其核心优势在于集成了同步整流器,显著提升了转换效率,并支持200kHz至2.2MHz的可编程开关频率,便于在效率与电磁干扰(EMI)性能之间进行优化。器件采用16-TFQFN表面贴装封装,工作结温范围为-40°C至125°C,具备有源状态,适用于对可靠性和空间有严格要求的汽车、工业及通信应用场景。

LT3466-1:采用 3mm x 3mm DFN 封装的白光 LED 驱动器和升压型转换器
HMC561LP3:x2有源倍频器SMT,8 - 21 GHz Fout
AD8209:高压、精密差动放大器
AD7951:14位、1 MSPS、单极性/双极性可编程输入PulSAR ADC
ADM3260:集成 DC-DC 转换器、支持热插拔的双通道 I2C隔离器
ADXL151:低成本、单轴、PS15-兼容型卫星传感器
AD5641:2.7 V至5.5 V、小于100 A、14位nanoDAC,SPI接口,采用LFCSP和SC70封装
HMC434:使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装,DC - 8 GHz
LTC2240-12:12 位、170Msps ADC
ADAR3001S:27.5 GHz - 31 GHz,4波束和4元件,Ka段波束合成器
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