HMC1167LP5ETR是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能、双频段压控振荡器（VCO）。该器件采用先进的GaAs HBT工艺制造，集成了谐振电路、负阻有源器件以及输出缓冲放大器于一个紧凑的芯片内，构成了一个完整的振荡器解决方案。其核心架构旨在提供卓越的频率稳定性和低相位噪声性能，同时通过内部倍频器设计，实现了从基础频段到倍频频段的高效生成，这简化了系统设计并减少了外部元件需求。

该VCO具备覆盖6.085 GHz至6.665 GHz以及12.17 GHz至13.33 GHz的双频段输出能力，中心频率分别为6.375 GHz和12.75 GHz，为多频段或宽带应用提供了高度灵活性。其调谐电压范围宽达2V至13V，对应的调谐灵敏度（推移）典型值约为2 MHz/V，确保了精确的频率控制。在输出性能方面，该器件在基波频段提供3.5 dBm ± 4.5 dBm的输出功率，在二次谐波（倍频）频段提供11 dBm ± 4 dBm的输出功率，二次谐波抑制典型值为20 dBc，有效降低了谐波干扰。其相位噪声典型值低至-86 dBc/Hz @ 100 kHz偏移，这对于要求严苛的通信和雷达系统的信号纯度至关重要。

在电气接口方面，HMC1167LP5ETR采用单5V电源供电，最大工作电流为250 mA。它提供了独立的射频输出端口以及频率选择控制引脚，用户可以通过简单的数字逻辑电平选择所需的工作频段。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。该器件采用节省空间的32引脚、5mm x 5mm QFN（四方扁平无引线）封装，非常适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链保障的客户，通过正规的ADI授权代理进行采购是确保产品正品和质量支持的最佳途径。

凭借其优异的射频性能、双频段集成和紧凑封装，HMC1167LP5ETR非常适用于点对点及点对多点无线电、微波通信链路、VSAT卫星通信终端、军用电子战（EW）系统以及测试测量设备等高端应用场景。它能够作为本地振荡器（LO）或信号源，为这些系统提供稳定、纯净的高频信号，是构建高性能射频前端的理想核心元器件。

• 型号:HMC1167LP5ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:
• 类目:晶体，振荡器，谐振器 > VCO（压控振荡器）
• 描述:VCO 6.375/12.75GHZ 2-13V 5X5MM
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 频率范围:6.085 ~ 6.665GHz，12.17 ~ 13.33GHz
• 频率 - 中心:6.375GHz，12.75GHz
• 电压 - 供电:5V
• 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
• 二次谐波，典型值（dBc）:20
• 最大 Icc:250mA
• 推移（MHz/V）:2
• 功率 (dBm):3.5±4.5，11±4
• 典型相位噪声 (dBc/Hz):-86
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘，CSP
• 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽（5.00mm x 5.00mm）
• 高度:0.039\\
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HMC1167LP5ETR是ADI公司推出的一款高性能、双频段压控振荡器（VCO），专为要求严苛的微波应用而设计。该器件在一个芯片内集成了基波振荡与倍频功能，可提供6.085-6.665 GHz和12.17-13.33 GHz两个独立的工作频段，中心频率分别为6.375 GHz和12.75 GHz。

其核心优势在于出色的射频性能，包括低至-86 dBc/Hz的典型相位噪声（@100 kHz偏移）以及高达11 dBm的倍频输出功率，同时二次谐波抑制典型值达到20 dBc。器件采用5V单电源供电，通过2V至13V的宽调谐电压实现频率控制，并工作在-40°C至85°C的工业温度范围。紧凑的5mm x 5mm QFN封装使其成为空间受限的高频系统的理想选择。