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LT5511EFE#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:16-TSSOP-EP
  • 技术参数:IC MIXER 10MHZ-3GHZ UP 16TSSOP
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LT5511EFE#PBF 技术参数详情:

LT5511EFE#PBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能有源混频器,采用先进的硅工艺架构,专为宽频带上变频应用而优化。其核心是一个高度线性的双平衡吉尔伯特单元混频器内核,该架构有效抑制了本振(LO)和射频(RF)信号的偶次谐波,并显著降低了端口间的馈通,从而在极宽的频率范围内实现了出色的隔离度。内部集成的LO缓冲放大器简化了外部驱动要求,允许使用较低功率的本振信号,同时集成的输出匹配网络优化了宽带性能,减少了外部元件数量,简化了系统设计。

该器件覆盖10MHz至3GHz的极宽工作频率范围,使其能够灵活应对从高频IF到多种射频标准的信号处理需求。作为一款上变频混频器,它具备0dB的典型转换增益,无需额外的增益级即可维持信号电平,简化了增益预算规划。其15dB的噪声系数和出色的线性度(IP3性能优异)共同保障了在CATV、点对点通信等对动态范围要求苛刻的系统中的信号保真度。器件采用单电源供电,工作电压范围为4V至5.25V,典型供电电流为65mA,功耗与性能达到了良好的平衡。

在接口与参数方面,LT5511EFE#PBF采用表面贴装型的16引脚TSSOP封装,便于高密度PCB布局。其设计确保了在宽频带内端口(RF、LO、IF)之间具有高隔离度,最小化了相互干扰。稳定的性能表现使其对电源电压和温度的变化不敏感,提升了系统可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ADI代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其宽频带、高线性度和集成化设计,该芯片非常适合应用于有线电视(CATV)上行发射机、无线基础设施(如蜂窝基站的中频上变频阶段)、宽带无线接入以及各类测试测量设备中的频率转换模块。它能够高效地将中频信号上变频至所需的射频信道,是构建高性能、紧凑型射频发射链路的理想核心元件。

  • 型号:LT5511EFE#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-TSSOP-EP
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER 10MHZ-3GHZ UP 16TSSOP
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:CATV
  • 频率:10MHz ~ 3GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:0dB
  • 噪声系数:15dB
  • 辅助属性:升频器
  • 电流 - 供电:65mA
  • 电压 - 供电:4V ~ 5.25V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:16-TSSOP-EP
  • LT5511EFE#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT5511EFE#PBF是ADI公司推出的一款高性能有源上变频混频器,属于其射频混频器系列。该器件工作频率覆盖10MHz至3GHz的宽广范围,具备0dB的典型转换增益和15dB的噪声系数,专为要求高线性度和宽动态范围的应用而设计。

它采用单电源供电,电压范围为4V至5.25V,典型工作电流为65mA,在提供卓越射频性能的同时保持了合理的功耗。芯片集成LO缓冲器和输出匹配网络,采用16引脚TSSOP表面贴装封装,简化了外部电路设计,非常适合用于CATV基础设施、无线通信系统等领域的上变频链路。

LT1809:单通道、180MHz、350V/μs 轨至轨输入和输出低失真运算放大器
LTC2259-14:14 位、80Msps、超低功率 1.8V ADC
HMC772:Low Noise Amplifier SMT, 2 - 12 GHz
AD7329:1 MSPS、8通道、软件可选的真双极性输入、12位(带符号位)A/D转换器
LT1132A:采用小电容器的先进低功率 5V RS232 驱动器 / 接收器
AD5348:2.5 V至5.5 V、并行接口、八通道电压输出、12位数模转换器
ADP122:5.5 V输入、300 mA、低静态电流、CMOS线性调节器,提供固定输出电压
LTC222:具数据锁存器的微功率、低电荷注入、四通道 CMOS 模拟开关
HMC-C004:宽带驱动放大器模块,0.01 - 20 GHz
ADM709:具有复位功能的电源监控器
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