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LT1056S8#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SO
  • 技术参数:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SO
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LT1056S8#TRPBF 技术参数详情:

LT1056S8#TRPBF 是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能JFET输入运算放大器,采用单路电路设计,封装于8引脚SOIC表面贴装封装中,并以卷带形式提供,适用于自动化生产。该器件基于精密的JFET输入级架构,这一设计使其具备了极低的输入偏置电流,典型值仅为30pA,同时保持了较低的输入失调电压(500V)。这种架构有效结合了双极型放大器的高速特性与FET放大器的高输入阻抗优势,为精密信号调理应用提供了坚实的基础。

在性能表现上,该放大器展现出14V/s的高压摆率5.5MHz的增益带宽积,确保了其在处理快速变化的信号时能够实现精准的瞬态响应,并维持宽频带内的稳定增益。其供电范围设计为±5V至±18V,为系统设计提供了灵活的电源选择空间,同时单放大器通道的静态电流消耗约为5mA,在性能与功耗之间取得了良好平衡。其工作温度范围覆盖0°C至70°C,满足商业级工业应用的环境要求。

该芯片的接口与参数配置使其非常适合作为高速积分器、采样保持电路、光电二极管前置放大器以及高阻抗传感器信号调理的核心元件。低输入偏置电流特性极大降低了对高阻抗信号源的负载效应,而高速度则保证了动态信号采集的保真度。对于需要从ADI中国代理获取正品货源与技术支持的设计项目,此器件是一个可靠的选择。

综合来看,LT1056S8#TRPBF适用于各类测试测量设备、医疗仪器、音频处理以及数据采集系统。其表面贴装封装形式顺应了现代电子设备小型化、高密度的趋势,卷带包装则便于规模化生产。这款运算放大器凭借其JFET输入架构带来的优异特性,在需要高精度、高速度与高输入阻抗的模拟前端设计中,扮演着关键角色。

  • 型号:LT1056S8#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:J-FET
  • 电路数:1
  • 输出类型:-
  • 压摆率:14V/s
  • 增益带宽积:5.5 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:30 pA
  • 电压 - 输入补偿:500 V
  • 电流 - 供电:5mA
  • 电流 - 输出/通道:-
  • 电压 - 跨度(最小值):10 V
  • 电压 - 跨度(最大值):36 V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • LT1056S8#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT1056S8#TRPBF 是一款由Analog Devices生产的单路JFET输入运算放大器,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于JFET输入级提供的极低输入偏置电流(30pA)与高输入阻抗,结合14V/s的高压摆率和5.5MHz的增益带宽积,实现了高速信号处理能力。

该器件工作电压范围宽(±5V ~ ±18V),静态电流为5mA,失调电压为500V,工作温度范围为0°C至70°C。这些参数使其成为精密高速应用,如积分器、采样保持电路和高阻抗传感器接口的理想选择,兼顾了性能、灵活性与易用性。

AD7678:18位、100 kSPS PulSAR ADC
ADM12914:±0.8%精度、四通道UV/OV正/负电压监控器
HMC8205:0.3或0.4 GHz至6 GHz、35 W、GaN功率放大器
LTC3541-2:高效率降压 + VLDO 稳压器
AD7643:18位、1.25 MSPS PulSAR ADC
ADN2812:连续速率12.3 Mb/s至2.7 Gb/s时钟和数据恢复IC,集成限幅放大器
LTC2620:采用 16 引脚 SSOP 封装的八通道 12 位轨至轨 DAC
AD5667:双通道、16位nanoDAC,内置I2C接口
LT1116:12ns、单电源接地检测比较器
LTC1664:微功率、四通道 10 位 DAC
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