
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-QFN(5x5)
- 技术参数:IC MMIC VCO DIVIDE X4 32-QFN
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HMC735LP5ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),并集成了固定分频器。该器件采用先进的GaAs HBT工艺制造,核心架构集成了振荡器电路、变容二极管调谐网络以及一个固定的四分频器链。这种高度集成的设计将VCO核心与分频功能整合在单一芯片上,不仅显著减少了外部元件数量和电路板占用面积,还通过芯片内部的优化匹配,确保了从射频到中频输出路径上优异的相位噪声性能和频率稳定性。
该芯片在10.5GHz至12.2GHz的超宽频带内提供连续的频率调谐范围,满足了现代通信系统对宽带可调谐信号源的需求。其关键特性在于集成了一个固定除以4的分频器,能够将核心VCO产生的高频信号直接转换为2.625GHz至3.05GHz范围内的中频信号输出。这种设计带来了多重优势:一方面,它允许系统使用频率较低、成本更优的后续分频器或锁相环(PLL)芯片进行进一步处理;另一方面,分频操作本身有助于改善输出信号的相位噪声,通常能带来约12 dB的理论改善。芯片提供互补的差分输出,增强了抗共模干扰的能力,并简化了与差分输入放大器或混频器的连接。
在接口与电气参数方面,HMC735LP5ETR采用紧凑的32引脚5mm x 5mm QFN(四方扁平无引线)表面贴装封装,非常适合高密度PCB布局。其工作电压典型值为+5V,通过一个独立的调谐电压端口(通常为0至+13V)来控制输出频率,调谐灵敏度(Kv)在整个频带内保持良好线性度。除了主射频输出,它还提供一个与VCO核心频率同步的缓冲输出,用于监测或反馈。其出色的相位噪声性能,例如在1 MHz偏移处通常优于-110 dBc/Hz,使其在 demanding 的射频系统中表现出色。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取该器件以及完整的设计资源。
凭借其宽频带、低相位噪声和集成分频器的特点,HMC735LP5ETR非常适用于点对点及点对多点无线电通信、军用电子战(EW)系统、测试与测量设备以及卫星通信上行/下行变频器等高端应用场景。在这些系统中,它作为本地振荡器(LO)链路的驱动源,为混频器提供纯净、稳定的本振信号,是实现高数据速率、高灵敏接收和精确频率合成的关键元器件。
- 型号:HMC735LP5ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:32-QFN(5x5)
- 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
- 描述:IC MMIC VCO DIVIDE X4 32-QFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 功能:VCO
- 频率:10.5GHz ~ 12.2GHz
- 射频类型:通用
- 辅助属性:双输出(除以 4,标准)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
- HMC735LP5ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC735LP5ETR是ADI公司推出的一款MMIC VCO(压控振荡器)带分频器芯片,采用32-QFN表面贴装封装。其核心功能是在10.5GHz至12.2GHz的Ku波段内生成可调谐的射频信号,并内置一个除以4的固定分频器,直接提供2.625GHz至3.05GHz的差分中频输出。
该器件将VCO与分频器高度集成,显著简化了射频前端设计。其宽调谐范围与集成的分频功能相结合,降低了后续电路的处理难度和系统复杂度,同时有利于优化整体相位噪声性能。这使得它成为需要高性能、高频率本振源的点对点无线电、测试仪器和军用系统的理想选择。



















