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HMC584LP5 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-QFN(5x5)
  • 技术参数:IC MMIC VCO HBT BIPOLAR 32-QFN
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HMC584LP5 技术参数详情:

HMC584LP5是亚德诺半导体(Analog Devices)基于先进HBT(异质结双极晶体管)Bipolar工艺设计的一款单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)。该芯片采用紧凑的32引脚VFQFN(超薄型四方扁平无引线)封装,专为表面贴装应用而优化,其核心架构集成了高Q值谐振电路与低噪声有源器件,确保了在宽调谐电压范围内输出频率的高度线性与稳定性。内部集成的缓冲放大器有效隔离了VCO核心与负载,显著降低了频率牵引效应,提升了输出功率的一致性。

该器件在12.5GHz至13.9GHz的Ku波段提供连续的频率覆盖,典型调谐灵敏度(Kv)经过优化,在实现宽频带覆盖的同时,保持了良好的线性度,有利于锁相环(PLL)系统的稳定与快速锁定。其相位噪声性能在业界同频段VCO中表现突出,在100 kHz偏移处典型值优于-100 dBc/Hz,这对于高阶调制通信系统和雷达应用中的系统误码率及目标分辨率至关重要。此外,芯片采用单正电源供电,典型工作电压为+5V,并集成了射频输出隔直电容,简化了外围电路设计。

在接口与关键参数方面,HMC584LP5提供了单端射频输出,典型输出功率为+8 dBm,具有良好的负载阻抗不敏感性。其调谐电压端口(VTUNE)输入阻抗高,所需驱动电流极小,便于与多种锁相环芯片或DAC直接接口。工作温度范围覆盖工业级标准,确保在严苛环境下可靠运行。对于需要本地技术支持和供应链保障的设计团队,可以通过ADI中国代理获取完整的数据手册、评估板以及应用技术支持。

这款VCO主要面向需要高性能本地振荡源的应用场景。在点对点及点对多点微波无线电、卫星通信上行链路、VSAT终端等设备中,它可作为上变频链路的核心本振。同时,其优异的相位噪声特性也使其非常适用于测试测量仪器(如频谱分析仪、信号发生器)的频率合成单元,以及军事和航空航天领域的雷达、电子战系统中。其表面贴装封装和高度集成的MMIC设计,极大地节省了PCB面积,满足了现代射频模块对小型化、高可靠性的迫切需求。

  • 型号:HMC584LP5
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC MMIC VCO HBT BIPOLAR 32-QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:12.5GHz ~ 13.9GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:4 分型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
  • HMC584LP5优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC584LP5是ADI(Analog Devices)推出的一款采用32-VFQFN表面贴装封装的MMIC VCO(压控振荡器)芯片,隶属于其RF IC和模块产品系列。该有源器件基于HBT Bipolar工艺,核心功能是在12.5GHz至13.9GHz的Ku波段内提供稳定、低噪声的频率合成信号。

其设计针对高性能射频系统,关键参数包括优异的相位噪声性能、典型+8 dBm的输出功率以及宽频率调谐范围。这些特性使其能够简化系统架构,减少外部元件数量,为核心振荡源提供高集成度的解决方案,适用于对频率纯度和稳定性有严格要求的场合。

HMC772:Low Noise Amplifier SMT, 2 - 12 GHz
LTC2364-18:具 97dB SNR 的 18 位、250ksps、伪差分单极性 SAR ADC
LTC2230:10 位、170Msps ADC
LTC6957:低相位噪声、双输出缓冲器 / 驱动器 / 逻辑转换器
ADM7151:800 mA、超低噪声/高 PSRR 可调 V out LDO
ADV7630:2.25 GHz XPRESSVIEW HDMI 1:2分频器,采用4:1输入多路复用
HMC220B:5 GHz 至 12 GHz GaAs、 MMIC、基本混频器
HMC792A:0.25 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器,采用SMT封装,DC - 6 GHz
ADUM7440:1 kV RMS四通道数字隔离器
ADAQ23875:16位、15 MSPS μModule数据采集解决方案
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