HMC561LP3TR是一款基于高性能磷化铟（InP）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺设计的有源倍频器芯片。该器件采用紧凑的16引脚QFN表面贴装封装，其核心架构旨在实现从8GHz到21GHz宽频带范围内的高效、稳定的频率倍增功能。内部集成的非线性放大电路经过优化，能够将输入射频信号的频率精确地提升至两倍，同时有效抑制基波和其他杂散分量，确保输出频谱的纯净度。

该倍频器具备卓越的宽带性能与高转换效率，在整个工作频段内能提供平坦的增益响应和良好的输入/输出回波损耗。其有源设计意味着在实现频率倍增的同时，还能提供一定的信号增益，有助于补偿系统链路中的损耗。芯片采用单电源供电，简化了外围电路设计，其表面贴装形式非常适合自动化生产，卷带（TR）包装也便于大规模组装。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ADI中国代理获取正品器件与技术支持。

在接口与关键参数方面，HMC561LP3TR的工作频率覆盖8GHz至21GHz，属于通用射频类型，适用于多种微波系统。其典型性能包括较低的谐波抑制和相位噪声特性，这对于维持通信链路的信号质量至关重要。封装为16-VFQFN，具有良好的热性能和电磁屏蔽特性，确保在复杂系统环境下的稳定运行。

该芯片主要面向需要高频、高质量本振信号生成的各类微波应用场景。它是点对点无线电通信、卫星通信上行/下行链路、微波测试与测量设备以及军用电子对抗（ECM）系统中频率合成单元的优选方案。其宽频带特性使其能够适配多种信道规划，为系统设计提供了高度的灵活性和可扩展性。

• 型号:HMC561LP3TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
• 描述:IC MULTIPLIER X2 PHEMT 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 功能:频率系数
• 频率:8GHz ~ 21GHz
• 射频类型:通用
• 辅助属性:有源倍频器
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC561LP3TR优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC561LP3TR是亚德诺半导体（ADI）推出的一款有源倍频器芯片，采用16-VFQFN表面贴装封装。该器件基于pHEMT工艺，核心功能是在8GHz至21GHz的宽频带范围内，将输入射频信号的频率精确倍增两倍，同时提供一定的增益。

其设计兼顾了性能与易用性，具备良好的宽带平坦度和谐波抑制能力，单电源供电简化了系统集成。作为一款“有源”状态、卷带包装的RF IC，它非常适合要求高频率稳定性和纯净频谱的微波通信、测试测量及国防电子系统，是实现高效频率合成的关键组件。