ADRF5515A是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块，设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515A采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器(LNA)和高功率硅单刀双掷(SPDT)开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.05 dB的低噪声系数和36 dB的高增益（频率为3.6 GHz）以及35 dBm（典型值）的输出3阶交调(OIP3)点。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在48 mA的较低电流下提供17 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为13 mA。

在发射操作中，当RF输入连接到端电极引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型、6 mm × 6 mm、40引脚架构芯片级封装(LFCSP)。

应用

• 集成式双通道 RF 前端
• 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
• 片内偏置和匹配
• 单电源供电
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
• 增益
• 高增益模式：3.6 GHz 时为 36 dB（典型值）
• 低增益模式：3.6 GHz 时为 17 dB（典型值）
• 低噪声指数
• 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.05 dB（典型值）
• 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.05 dB（典型值）

• 高隔离
• RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
• TERM-CHA 和 TERM-CHB：75 dB（典型值）
• 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：35 dBm（典型值）
• 关断模式和低增益模式
• 低电源电流
• 高增益模式：5 V 时为 95 mA（典型值）
• 低增益模式：5 V 时为 48 mA（典型值）
• 关断模式：5 V 时为 13 mA（典型值）
• 正逻辑控制
• 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
• 与ADRF5515 和 ADRF5519，以及 10 W 版本，ADRF5545A 和 ADRF5549 的引脚兼容。

ADRF5515ABCPZN，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：Cut Tape,0，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：

ADRF5515ABCPZN-R7，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：

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EVAL-ADRF5515A：评估 ADRF5515A 双通道 3.3 GHz 至 4.0 GHz 20 W 接收器前端

ADRF5515A 是一款集成的、双通道、3.3 GHz 至 4.0 GHz、20 W 接收器前端，非常适合于时分双工 (TDD) 无线基础设施应用。ADRF5515A 的每个通道上均具有一个高功率交换芯片和一个双级低噪声放大器。

该用户指南介绍了用于轻松评估 ADRF5515A 的特性和性能的 ADRF5515A.-EVALZ 评估板。用户指南的图 1 显示了 ADRF5515A-EVALZ 的照片。

ADRF5515A 数据手册提供了 ADRF5515A 的完整规格。使用 ADRF5515A-EVALZ 时，应同时参阅 ADRF5515A 数据手册和本用户指南。