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HMC421QS16ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:16-QSOP
  • 技术参数:IC MIXER LO/IF AMP 16SSOP
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HMC421QS16ETR 技术参数详情:

HMC421QS16ETR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能射频混频器,采用单芯片集成设计,专为1.4GHz至2.3GHz频段的无线通信系统优化。该器件集成了一个混频器核心与一个本地振荡器(LO)驱动放大器/缓冲器,构成了一个完整的降频变频器前端。其核心架构基于成熟的GaAs(砷化镓)工艺,确保了在宽频带范围内的高线性度和低噪声性能,同时集成的LO放大器有效简化了外部电路设计,降低了系统复杂性和物料成本。

该芯片在功能上表现出色,其9dB的转换增益有助于提升接收链路的信号电平,而11dB的噪声系数则在同类产品中具有竞争力,有助于维持系统接收灵敏度。作为一款降频变频器,它能高效地将射频(RF)输入信号下变频至中频(IF)输出,内部集成的LO缓冲放大器能够直接驱动高隔离度的平衡混频器核心,这不仅改善了LO到RF端口的隔离度,还减少了对高功率LO源的需求。其工作电压范围为4.5V至5.5V,典型供电电流为84mA,功耗控制得当,适合对能效有要求的便携式设备。

在接口与参数方面,HMC421QS16ETR采用紧凑的16引脚SSOP表面贴装封装,便于高密度PCB布局。其射频端口设计为单端形式,简化了阻抗匹配网络。关键射频性能参数,如输入三阶截点(IIP3)和端口间隔离度,均经过优化,以满足严苛的蜂窝通信标准。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量项目和备件市场中仍有需求,用户可通过正规的ADI中国代理渠道咨询库存或替代方案。

该芯片典型的应用场景集中于2G/3G蜂窝通信基础设施和终端设备,包括GSM、CDMA以及WCDMA系统的接收机前端。它适用于基站、直放站、无线测试设备等需要高性能下变频功能的场合。其宽泛的工作频率也使其能够覆盖部分无线局域网和专用移动无线电的频段,为设计工程师提供了一个经过验证的、高集成度的射频解决方案。

  • 型号:HMC421QS16ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-QSOP
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER LO/IF AMP 16SSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:手机,WCDMA,CDMA,GSM
  • 频率:1.4GHz ~ 2.3GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:9dB
  • 噪声系数:11dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流 - 供电:84mA
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SSOP(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-QSOP
  • HMC421QS16ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC421QS16ETR是一款由Analog Devices生产的单通道射频混频器,集成了LO驱动放大器,构成完整的降频变频器模块。其工作频率覆盖1.4GHz至2.3GHz,专为手机通信标准(如WCDMA、CDMA、GSM)优化,提供9dB的转换增益和11dB的噪声系数,有效平衡了信号放大与系统噪声性能。

该器件采用4.5V至5.5V单电源供电,典型工作电流为84mA,采用16-SSOP表面贴装封装,便于集成。其核心价值在于高集成度与经过验证的射频性能,为接收机链路提供了简化且可靠的下变频解决方案。

LT1632:45MHz、45V/μs、双通道、轨至轨输入和输出、精准运算放大器
ADL5591:1805 MHz 至1990 MHz 正交调制器
HMC675LP3E:集成RSCML输出级的锁存比较器,采用SMT封装,10 GHz
LTC1454:双通道 12 位轨至轨微功率 DAC
ADL5611:30 MHz 至6 GHz RF/IF增益模块
LTC1458:4 通道 12 位轨至轨微功率 DAC
LTC1092:2 通道、10 位串行 I/O 数据采集系统
ADAS1131:256通道、24位电流数字ADC模块
LTC4058-4.2:采用 DFN 封装并具热调节功能的独立线性锂离子电池充电器
AD5291:单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器
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