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HMC373LP3E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:16-LFCSP(3x3)
  • 技术参数:IC AMP CDMA 700MHZ-1GHZ 16LFCSP
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HMC373LP3E 技术参数详情:

HMC373LP3E是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),采用先进的GaAs pHEMT工艺制造。该芯片的核心架构旨在为700MHz至1GHz频段内的射频信号提供高增益和极低噪声的放大,其内部集成了输入输出匹配网络,优化了在目标频带内的性能,并集成了ESD保护功能,提升了器件的鲁棒性和可靠性。紧凑的16引脚QFN封装形式使其非常适合高密度表面贴装应用,简化了PCB布局设计。

该器件在提供14dB典型增益的同时,实现了0.9dB的杰出噪声系数,这对于接收链路前端至关重要,能显著提升系统的整体灵敏度。其20dBm的输出1dB压缩点(P1dB)确保了良好的线性度,能够处理较高的输入信号功率而不产生显著失真,这对于存在强干扰信号的应用环境非常有利。供电方面,仅需单5V电源和约90mA的静态电流,功耗控制得当,便于系统电源设计。用户可通过ADI中国代理获取完整的设计支持、样片和技术文档。

在接口与参数层面,HMC373LP3E设计为50欧姆输入输出阻抗,简化了与前后级电路的连接。其卓越的射频性能参数,包括宽频带内的平坦增益响应和低噪声系数,使其成为一款高性能的通用型增益模块。器件工作在-40°C至+85°C的扩展工业温度范围,保证了在各种环境条件下的稳定运行。

得益于其覆盖700MHz至1GHz的宽频率范围以及优异的噪声和线性度指标,该放大器非常适合应用于多种无线通信标准,包括CDMA、GSM、EDGE和W-CDMA系统的基站接收机、中继器以及用户设备。此外,它也常被用于仪器仪表、测试设备以及需要在前端进行低噪声放大的各类射频接收链路中,是工程师构建高性能射频前端的有力选择。

  • 型号:HMC373LP3E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-LFCSP(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP CDMA 700MHZ-1GHZ 16LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 频率:700MHz ~ 1GHz
  • P1dB:20dBm
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:0.9dB
  • 射频类型:CDMA,GSM,EDGE,W-CDMA
  • 电压 - 供电:5V
  • 电流 - 供电:90mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:16-LFCSP(3x3)
  • HMC373LP3E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC373LP3E是ADI公司推出的一款面向700MHz至1GHz频段的射频低噪声放大器(LNA)。该器件采用表面贴装型16-VFQFN封装,在单5V供电、90mA静态电流下工作,为核心接收链路提供高增益与卓越的线性度。

其技术亮点在于实现了高增益(14dB)与极低噪声系数(0.9dB)的优异结合,同时具备20dBm的高输出1dB压缩点,确保了在CDMA、GSM、EDGE及W-CDMA等多种通信制式应用中的高灵敏度和强抗干扰能力。这些特性使其成为基站、中继器及测试设备射频前端的理想增益模块。

LT5554:宽带、超低失真、7 位数字控制型 VGA
LT1161:受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器
HMC560A:22 GHz至38 GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器
HMC737:具有半频输出的MMIC VCO,14.9 - 15.5 GHz
ADA4807-2:3.1 nV/√Hz、1 mA、180 MHz、轨到轨输入/输出放大器
ADL6010S:航空航天 ADL6010S 快速响应 45 dB 范围 0.5 GHz 至 43.5 GHz 包络检测器
LTC4236:具电流监视器的双通道理想二极管 “或” 和单通道热插拔控制器
LTC1840:具两线式接口的双通道风扇控制器
HMC1099:功率放大器
HMC637ALP5E:GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz
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