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HMC129ALC4TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-CLCC(3.9x3.9)
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL 24SMD
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HMC129ALC4TR 技术参数详情:

作为一款工作在C波段至X波段的高性能射频混频器,HMC129ALC4TR采用了先进的MMIC(单片微波集成电路)技术,其核心架构基于双平衡混频器设计。这种架构通过对称的二极管环或FET开关矩阵,能够有效抑制本振(LO)和射频(RF)信号的偶次谐波,并显著提高端口间的隔离度。芯片内部集成了必要的匹配网络和偏置电路,确保了在宽频带范围内的一致性能,同时简化了外部电路设计,为系统集成提供了便利。

该器件在4GHz至8GHz的宽频率范围内展现出卓越的性能。其双平衡混频器设计带来了出色的端口隔离度,能有效减少本振泄漏和信号串扰,这对于高动态范围接收系统至关重要。同时,7dB的典型噪声系数使其在接收链路前端能够保持良好的信号灵敏度,最小化系统整体噪声的恶化。其表面贴装型的24引脚LCC封装(24-LCC)不仅符合现代自动化生产要求,也提供了良好的散热和射频接地性能。

在接口与参数方面,HMC129ALC4TR专为VSAT(甚小孔径终端)等射频系统优化。它支持单端或平衡输入/输出配置,工程师可以通过专业的ADI代理获取详细的评估板和应用笔记,以快速实现设计。其卷带(TR)包装形式直接适配高速贴片机,提升了大规模生产的效率。该器件的有源状态保证了其长期供货稳定性和技术支持的可靠性。

得益于其宽频带、低噪声和高隔离度的特性,此芯片非常适合于点对点无线电、卫星通信、VSAT终端以及军用电子战和雷达系统等应用场景。在这些系统中,它能够稳定地执行上变频或下变频功能,是构建高性能射频前端的关键组件。其稳健的设计和一致的性能,使其成为要求严苛的通信和国防电子应用的理想选择。

  • 型号:HMC129ALC4TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-CLCC(3.9x3.9)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL 24SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:4GHz ~ 8GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:7dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-CLCC 焊盘
  • 供应商器件封装:24-CLCC(3.9x3.9)
  • HMC129ALC4TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC129ALC4TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款MMIC双平衡混频器,采用24引脚LCC表面贴装封装。该器件设计用于4GHz至8GHz(C至X波段)的VSAT等射频系统,其双平衡架构提供了优异的端口隔离性能,能有效抑制本振泄漏和信号干扰。

该混频器具备7dB的典型噪声系数,有助于维持接收链路的高灵敏度。作为有源器件并以卷带形式提供,它满足了现代通信设备对高性能、高可靠性和自动化生产的需求,是卫星通信、点对点无线电等应用中的核心射频转换解决方案。

LTM9009-14:14 位、80Msps 低功率 8 通道 ADC
ADG714:CMOS、低压、SPI/QSPI/Microwire兼容型接口、串行控制、八通道单刀单掷开关
ADG621:CMOS ±5 V/+5 V、4 Ω双通道单刀单掷开关
REF10S:Aerospace +10V Precision Voltage Reference
AD5691R:小型12位 I2C nanoDAC+,集成±1 LSB INL和2 ppm/°C 基准电压源
LTM9003:12 位数字预失真 Module 接收器子系统
ADF4159:直接调制/快速波形产生13 GHz小数N分频频率合成器
ADG701:4 、低压、宽带宽、单通道单刀单掷常闭(NC)开关,采用6引脚SOT-23封装
HMC997:模拟可变增益放大器,采用SMT封装,17 - 27 GHz
HMC463-DIE:集成AGC的低噪声放大器芯片,2-20 GHz
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