
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-SMT
- 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL 8SMD
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HMC128G8TR是一款由ADI(Analog Devices)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器。该器件采用成熟的GaAs(砷化镓)工艺制造,其核心架构集成了肖特基二极管环形混频器与片上宽带巴伦变压器。这种集成化设计实现了从射频(RF)、本振(LO)到中频(IF)端口之间的高度隔离,同时确保了在宽频带范围内良好的端口阻抗匹配,有效简化了外围电路设计,提升了系统的稳定性和可靠性。
作为一款双平衡混频器,其核心功能是实现信号的频率转换,既可用作上变频器,也可用作下变频器。它在1.8GHz至5GHz的宽频率范围内工作,覆盖了包括2.4GHz和5GHz在内的主流WLAN频段。该器件的一个显著特点是其10dB的噪声系数,这对于接收链路前端至关重要,有助于维持系统整体的接收灵敏度。尽管其增益参数未明确标注,但双平衡结构本身提供了良好的线性度和对LO泄漏及谐波的抑制能力,这对于现代高密度、高干扰的无线通信环境尤为重要。
在接口与参数方面,HMC128G8TR采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,便于自动化生产。其供电要求简洁,通常无需外部偏置电路,简化了电源设计。虽然该产品目前已处于停产状态,但通过可靠的ADI芯片代理渠道,仍可获取库存或替代方案支持。其卷带(TR)或剪切带(CT)的包装形式也符合大规模生产的需求。
该混频器主要面向无线基础设施和终端设备中的应用场景。其宽频带特性使其非常适合用于多频段、多模式的WLAN接入点、无线路由器、微型基站以及各种需要射频变频功能的测试测量设备。在设计紧凑、对性能一致性要求高的场合,其MMIC集成方案相比分立元件方案具有明显的体积和成本优势,是工程师实现高效射频前端设计的成熟选择之一。
- 型号:HMC128G8TR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SMT
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL 8SMD
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 射频类型:WLAN
- 频率:1.8GHz ~ 5GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:10dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SMT
- HMC128G8TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC128G8TR是ADI公司推出的一款MMIC双平衡混频器,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件工作于1.8GHz至5GHz的宽频率范围,完美覆盖WLAN应用的主流频段,其双平衡架构确保了优异的端口隔离与线性度。
其关键性能参数包括10dB的噪声系数,这有助于优化接收链路的灵敏度。作为一款升降频器,它无需外部偏置即可工作,简化了系统设计。尽管已停产,它仍是无线通信设备中实现高效、紧凑频率转换功能的经典解决方案。



















