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HMC1165LP5ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-LFCSP(5x5)
  • 技术参数:MMIC VCO HALF FREQ 32-LFCSP
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HMC1165LP5ETR 技术参数详情:

HMC1165LP5ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),采用紧凑的32引脚LFCSP(引线框架芯片级封装)封装。该器件集成了振荡器核心、谐振电路和输出缓冲放大器于单一芯片之上,其核心架构基于高性能的GaAs(砷化镓)或先进的硅基工艺,旨在提供卓越的频率稳定性和相位噪声性能。这种高度集成的设计不仅简化了外围电路,还显著提升了系统的可靠性,使其成为对空间和性能均有严苛要求的射频系统的理想选择。

该VCO的核心功能是生成一个频率范围在11.07 GHz至11.62 GHz之间的高纯度射频信号,其输出频率可通过施加在调谐端口的外部电压进行精确、线性的控制。其关键特性包括极低的相位噪声,这对于维持通信链路的信噪比和降低误码率至关重要;同时,它具备出色的调谐线性度,简化了锁相环(PLL)电路的设计与校准。器件内部集成的输出缓冲放大器提供了良好的隔离度,减少了负载变化对振荡器核心频率稳定性的影响,并确保了稳定的输出功率。

在接口与电气参数方面,HMC1165LP5ETR采用表面贴装形式,工作电压典型值为+5V,功耗控制在合理范围内。其调谐电压范围与输出频率呈良好的对应关系,便于系统集成。除了主射频输出外,它还提供用于监测或分频的辅助输出选项。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过专业的ADI一级代理商获取完整的规格书、评估板以及深入的应用指导。

该芯片主要面向甚小孔径终端(VSAT)、点对点无线通信、微波回程以及测试测量设备等高端应用场景。在VSAT系统中,它可作为上变频器或下变频器的本振源,为卫星通信提供稳定可靠的本地振荡信号。在毫米波频段的前沿研究与开发中,其宽调谐范围和高性能指标也为原型设计和系统验证提供了坚实的基础。其卷带(TR)包装形式完全适配现代自动化贴片生产线,能满足大规模、高效率的制造需求。

  • 型号:HMC1165LP5ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-LFCSP(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:MMIC VCO HALF FREQ 32-LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:11.07GHz ~ 11.62GHz
  • 射频类型:VSAT
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:32-LFCSP(5x5)
  • HMC1165LP5ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC1165LP5ETR是ADI公司推出的一款MMIC压控振荡器,采用32-LFCSP紧凑型封装,专为表面贴装应用而设计。该有源器件核心功能为VCO,可在11.07 GHz至11.62 GHz的Ku波段内提供精确的频率调谐能力。

其技术参数表明,该器件针对VSAT等射频系统进行了优化,具备高集成度和优异的射频性能。作为RF IC和模块系列的一员,它以卷带形式供货,确保了生产流程的便捷性与一致性,适用于需要高性能、小尺寸本振解决方案的各类微波通信与测试设备。

AD7237:双通道12位完整DAC,采用双缓冲字节加载结构
AD73311L:单通道、3 V前端处理器,适合包括语音和电话在内的一般应用
AD780:2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源
AD7606C-18:8通道DAS,内置18位、1 MSPS双极性输入、同步采样ADC
AD9361S:射频敏捷性收发器
ADF7241:低功耗IEEE 802.15.4零中频2.4 GHZ收发器IC
AD9861:混合信号前端(MxFE)基带收发器,适合宽带应用
AD9224:12位、40 MSPS单芯片ADC
LT1028:超低噪声、精准型高速运算放大器
HMC1086F10:25 W GaN法兰贴装MMIC功率放大器,2 - 6 GHz
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