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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-MSOP-EP
  • 技术参数:IC MMIC MIXER HI IP3 8-MSOP
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HMC485MS8GE 技术参数详情:

HMC485MS8GE是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造。该器件集成了一个双平衡混频器核心,其架构设计旨在实现卓越的线性度和端口间的高隔离度。内部集成的LO(本振)缓冲放大器有效降低了对外部驱动功率的要求,同时改善了LO至RF(射频)及LO至IF(中频)的隔离性能,使得系统设计更为简化。

该混频器的一个突出特点是其极高的输入三阶截点(IP3),典型值可达+25 dBm,这使其在存在强干扰信号的环境中能够保持优异的线性性能,有效抑制互调失真。其工作频率范围覆盖1.7 GHz至2.4 GHz,专为W-CDMA、CDMA、GSM和UMTS等主流蜂窝通信标准优化。在典型工作条件下,其噪声系数为9.8 dB,转换损耗表现稳定。器件支持上变频和下变频两种工作模式,为收发信机设计提供了灵活性。

在接口与电气参数方面,HMC485MS8GE采用单电源+5V供电,典型工作电流为45mA,功耗控制得当。其射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)三个端口均内部匹配至50欧姆,极大简化了外部匹配电路的设计。器件采用紧凑的8引脚MSOP表面贴装封装,尺寸仅为3.00mm宽,非常适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该器件及相关技术资料。

凭借其高线性度和宽频带特性,该芯片非常适合应用于对线性度有苛刻要求的基站接收机前端、中频采样系统中的上/下变频级、以及点对点微波无线电链路。尽管其官方状态标注为停产,但在许多现有通信基础设施的维护、升级或特定高线性度设计场景中,它仍然是一个经过验证的高性能选择,尤其适用于需要处理高动态范围信号的场合。

  • 型号:HMC485MS8GE
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP-EP
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER HI IP3 8-MSOP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:W-CDMA,CDMA,GSM,UMTS
  • 频率:1.7GHz ~ 2.4GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9.8dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:45mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-MSOP-EP
  • HMC485MS8GE优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC485MS8GE是ADI公司生产的一款高性能MMIC双平衡混频器,工作频率范围为1.7 GHz至2.4 GHz,专为W-CDMA、CDMA、GSM和UMTS等蜂窝通信频段优化。

该器件的核心优势在于其卓越的线性度,典型输入三阶截点(IP3)高达+25 dBm,并具备9.8 dB的噪声系数,能在强信号环境下有效抑制互调失真,保障接收通道的信号完整性。它采用+5V单电源供电,功耗为45mA,并集成LO缓冲放大器,简化了系统设计。

芯片采用紧凑的8-MSOP表面贴装封装,所有端口内部匹配至50欧姆,支持上变频和下变频操作,主要面向基站接收机、微波中继等对线性度和可靠性要求极高的射频应用场景。

ADT75:±2℃精度、12位数字温度传感器
LT6222:四通道、60MHz、20V/μs、低功率、轨至轨输入和输出高精度运算放大器
ADIS16334:薄型6自由度惯性传感器
AD8304:160 dB对数放大器,具有光电二极管接口
ADUM1301:三通道数字隔离器
LTC4444:高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
LTC4156:具 I2C 控制和 USB OTG 功能的双通道输入电源管理器 / 3.5A LiFePO4 电池充电器
AD8011:300 MHz、1 mA电流反馈型放大器
HMC416:集成缓冲放大器的VCO SMT,2.75 - 3.0 GHz
ADP5072:具有独立正输出和负输出的 1 A/0.6 A 直流/直流开关稳压器
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