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HMC1161LP5E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-LFCSP(5x5)
  • 技术参数:MMIC VCO HALF FREQ 32-LFCSP
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HMC1161LP5E 技术参数详情:

HMC1161LP5E 是一款由Analog Devices(ADI)公司设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)。该器件采用先进的半导体工艺,将核心振荡电路、调谐元件以及缓冲放大器高度集成于一个紧凑的芯片内,实现了在Ku波段的高稳定频率合成。其内部架构优化了相位噪声性能和调谐线性度,确保在宽泛的工作电压和温度范围内输出纯净、稳定的射频信号。

该VCO的工作频率覆盖11.07 GHz至11.62 GHz范围,专为甚小孔径终端(VSAT)等高性能通信系统而优化。其关键特性包括极低的相位噪声,这对于维持高阶调制格式下的通信链路信噪比至关重要;同时具备出色的调谐线性度,简化了锁相环(PLL)电路的设计与校准过程。器件集成的缓冲输出级提供了良好的隔离度,减少了负载牵引效应,并确保了稳定的输出功率。

在接口与参数方面,HMC1161LP5E采用表面贴装型的32引脚LFCSP(引线框架芯片级封装)封装,尺寸紧凑,便于高密度PCB布局。其工作电压典型值为+5V,调谐电压范围通常在0V至+13V之间,以实现全频段覆盖。输出功率典型值较高,能够直接驱动后续的混频器或功率放大器,减少系统级联的损耗。对于需要可靠供应链和技术支持的设计团队,可以通过官方授权的ADI中国代理获取样品、数据手册以及详细的应用支持。

此芯片典型的应用场景集中于需要高频率稳定性和低相位噪声的领域。除了作为VSAT卫星通信上行/下行链路中的本振源外,它还非常适用于点对点微波无线电、军用电子战(EW)系统、测试与测量设备以及航空航天雷达系统中的频率合成模块。其高集成度和可靠性使其成为简化射频前端设计、提升系统整体性能的理想选择。

  • 型号:HMC1161LP5E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-LFCSP(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:MMIC VCO HALF FREQ 32-LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:8.71GHz ~ 9.55GHz
  • 射频类型:VSAT
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:32-LFCSP(5x5)
  • HMC1161LP5E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC1161LP5E 是ADI公司推出的一款MMIC压控振荡器,属于其专业的RF IC和模块产品系列。该有源器件采用32-VFQFN(CSP)表面贴装封装,核心功能是在11.07 GHz至11.62 GHz的Ku波段内生成高稳定度的射频信号。

其设计针对VSAT等高性能通信应用进行了优化,关键参数体现了其在相位噪声、调谐线性度以及输出功率方面的卓越性能。该集成化VCO解决方案有助于简化射频链路设计,提升系统的可靠性与整体性能,适用于对频率源纯度要求严苛的各类无线基础设施。

LTC7004:快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
LT1363:70MHz、1000V/μs 运算放大器
LTM2895:100MHz 隔离型 DAC SPI 串行接口
HMC365S8G:InGaP HBT 4分频SMT封装,DC - 13 GHz
HMC684:集成LO放大器的BiCMOS混频器,700 - 1,000 MHz
ADCA3950:DOCSIS 3.1 功率倍增器混合模块,45 MHz 至 1218 MHz
LTC6810-1:6 通道电池堆栈监控器
ADUM251N:集成故障安全和1个反向的鲁棒5.0 kVrms五通道数字隔离器
HMC8400-DIE:2 GHz至30 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器
LTC2358-16:具有30VP-P共模范围的缓冲八通道、16位、每通道200ksps差分±10.24V ADC
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