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HMC833LP6GE 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器,封装:40-SMT(6x6)
  • 技术参数:IC FRACT-N PLL W/VCO 40SMT
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HMC833LP6GE 技术参数详情:

HMC833LP6GE是Analog Devices Inc.推出的一款高性能、宽频带分数N分频锁相环(PLL)芯片,其内部集成了压控振荡器(VCO)。该器件采用先进的架构设计,将高精度分数N分频PLL与一个低相位噪声、宽调谐范围的VCO集成在单片IC中,实现了从50 MHz到6 GHz的连续频率覆盖。其核心PLL部分基于一个Δ-Σ调制器,能够实现极高的频率分辨率,同时有效抑制分数杂散,确保输出频谱的纯净度。

该芯片的功能特点十分突出。它支持CMOS兼容的数字接口进行配置与控制,简化了系统集成。其内置的VCO消除了对外部VCO元件的需求,不仅节省了板级空间,还提高了系统的可靠性与一致性。高达6GHz的最大输出频率与宽频带特性,使其能够满足多种高频应用的需求。同时,器件集成了分频器与倍频器功能,为用户提供了灵活的频率合成方案。其工作电压支持3.3V与5V,并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,展现了出色的环境适应性。

在接口与关键参数方面,HMC833LP6GE采用单端CMOS电平的输入与输出,电路数为1,输入输出比为1:1。它采用表面贴装技术,封装为紧凑的40引脚VFQFN(6mm x 6mm)裸露焊盘形式,有利于散热和高密度PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过正规的ADI一级代理商进行采购,以获取原厂品质的器件与专业服务。

基于其卓越的性能,该芯片非常适合应用于需要高精度、低噪声频率合成的场景。它广泛用于测试与测量设备(如信号发生器、频谱分析仪)、无线通信基础设施(如基站本振源)、卫星通信系统以及高速数据转换器的时钟生成等领域。其高集成度与宽频带特性,使其成为简化射频前端设计、提升系统性能的理想选择。

  • 型号:HMC833LP6GE
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:40-SMT(6x6)
  • 类目:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
  • 描述:IC FRACT-N PLL W/VCO 40SMT
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 类型:-
  • PLL:是
  • 输入:CMOS
  • 输出:CMOS
  • 电路数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 差分 - 输入:无/是
  • 频率 - 最大值:6GHz
  • 分频器/倍频器:是/是
  • 电压 - 供电:3V ~ 5.2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:40-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:40-SMT(6x6)
  • HMC833LP6GE优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC833LP6GE是一款集成了压控振荡器(VCO)的宽带分数N分频锁相环(PLL)芯片,由Analog Devices Inc.制造。其核心优势在于单片集成了高性能PLL与VCO,实现了从50 MHz到6 GHz的连续频率覆盖,最大输出频率可达6GHz,为高频系统设计提供了高度集成的解决方案。

该器件采用CMOS接口进行控制,支持3.3V和5V双电源电压,并能在-40°C至85°C的宽温范围内可靠工作。其40引脚VFQFN(6x6 mm)表面贴装封装,兼顾了小型化与散热需求。这些特性使其成为无线通信、测试测量及卫星通信等应用中,实现低相位噪声、高精度频率合成的关键器件。

LT1997-2:精准、宽电压范围、增益可选放大器
ADIN2111:集成10BASE-T1L PHY的低复杂度、2端口以太网交换机
ADM2682E:16 Mbps、5 kV rms信号和电源隔离RS-485收发器,提供±15 kV ESD保护
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ADPD4000:多模式传感器前端
LT1017:微功率双通道比较器
OP470S:航空航天用极低噪声四通道运算放大器
ADF7030:高性能、低功耗、169MHz ISM频段无线电收发器IC
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