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- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:34-PowerCap 模块
- 技术参数：IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
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DS3065WP-100IND+ 技术参数详情：
- 型号:DS3065WP-100IND+
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI亚德诺, Maxim Integrated美信半导体)
- 封装:34-PowerCap 模块
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:100ns
- 访问时间:100 ns
- 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:34-PowerCap 模块
- 供应商器件封装:34-PowerCap 模块
- DS3065WP-100IND+优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADG432：LC2MOS 精密四通道单刀单掷开关
LT5579：1.5GHz 至 3.8GHz 高线性度上变频混频器
AD5235：非易失性存储器、双通道1024位数字电位计
HMC996：模拟可变增益放大器，采用SMT封装，5 - 12 GHz
LT6559：采用 3mm x 3mm QFN 封装的低成本 5V/±5V 300MHz 三路视频放大器
ADG854：0.5 Ω、CMOS、1.8 V至5.5 V、双通道单刀双掷开关/2:1多路复用器，采用小型LFCSP封装
HMC-MDB172：I/Q混频器/IRM芯片，19 - 33 GHz
ADR3412：微功耗、高精度1.2V基准电压源
LTC2183：16 位、80Msps、低功率、双通道 ADC
ADRF6655：宽带上/下变频混频器，集成小数N分频PLL和VCO
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