ADG936BRUZ-R是一款由亚德诺半导体（ADI）设计生产的高性能、低电压、反射式射频开关集成电路。该器件采用先进的CMOS工艺和优化的内部架构，集成了两个独立的单刀双掷（SPDT）开关通道，能够在直流至2GHz的宽频带范围内提供卓越的射频信号路径切换功能。其核心设计旨在实现低插入损耗与高隔离度的平衡，内部集成了匹配网络和驱动逻辑，确保在1.65V至2.75V的低供电电压下稳定工作，同时兼容标准的CMOS/TTL控制电平，简化了系统集成设计。

该芯片在射频性能上表现突出，在1GHz的典型测试频率下，其插入损耗低至0.9dB，这有助于最大限度地保留信号链路的功率和信噪比。同时，其通道间隔离度高达36dB，能有效防止信号串扰，确保多通道系统或时分双工（TDD）应用中的信号纯净度。此外，ADG936BRUZ-R具备优秀的线性度，其输入三阶交调截点（IIP3）为32dBm，1dB压缩点（P1dB）为16dBm，使其能够处理较高功率的信号而不会引入明显的失真，这对于现代通信系统至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用标准的50欧姆阻抗设计，便于与大多数射频前端组件直接匹配。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，保证了在严苛环境下的可靠性。封装形式为紧凑的20引脚TSSOP，节省了宝贵的电路板空间。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ADI代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其宽频带、低损耗、高隔离和良好的线性度，ADG936BRUZ-R非常适合应用于多种无线通信和测试测量场景。典型应用包括蜂窝基础设施（如基站中的天线分集与切换）、便携式无线设备（如手机、平板电脑的射频前端模块）、通用射频测试仪器以及有线电视（CATV）系统。其低电压特性也使其成为电池供电的便携式设备的理想选择，有助于延长系统续航时间。

• 型号:ADG936BRUZ-R
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:20-TSSOP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20TSSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 射频类型:通用
• 拓扑:反射
• 电路:2 x SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 2GHz
• 隔离:36dB
• 插损:0.9dB
• 测试频率:1GHz
• P1dB:16dBm
• IIP3:32dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:20-TSSOP
• ADG936BRUZ-R优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADG936BRUZ-R是ADI公司推出的一款高性能、反射式射频开关IC，采用20-TSSOP封装。该器件集成了两个SPDT开关，工作频率范围覆盖直流至2GHz，在1GHz测试频率下提供低至0.9dB的插入损耗和高达36dB的隔离度，确保了高效的信号路径切换与优异的通道隔离性能。

其设计支持1.65V至2.75V的低电压供电，兼容CMOS/TTL逻辑控制，并具备32dBm的IIP3和16dBm的P1dB，线性度出色，能处理较高功率信号。50欧姆的标准阻抗和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，使其能够稳定集成于各种严苛的射频系统中，适用于无线通信、测试测量及便携设备等应用。