SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。

该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 ）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。

电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制高阶放大器谐波失真。

基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。

TSSM2212同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外，由于晶体管对之间的VBE不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212的低VOS无需进行失调调整。SSM2212可在-40C至85C的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。

• 极低电压噪声：1nV/√Hz（最大值，100Hz）
• 出色的电流增益匹配： 0.5%

• 低失调电压(VOS)：200 μV（最大值）
• 出色的失调电压漂移：0.03μV/ºC
• 高增益带宽积：200MHz

SSM2212CPZ-R7，封装：16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.29（1000+个）

SSM2212CPZ-RL，封装：16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，5000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.29（1000+个）

SSM2212RZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.64（100-499个）；3.29（1000+个）

SSM2212RZ-R7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.64（100-499个）；3.29（1000+个）

SSM2212RZ-RL，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.64（100-499个）；3.29（1000+个）