
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 产品类别:高端开关和MOSFET驱动器
- 技术类目:高端开关和MOSFET驱动器
- 功能描述:三通道、1.8V 至 6V 高压侧 MOSFET 驱动器
- (AD代理渠道,提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)

LTC1163 / LTC1165 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165 具有反相输入,因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163 具有同相输入。
微功率操作 (具有 0.01μA 待用电流和 95μA 工作电流),结合 1.8V 至 6V 的电源范围,使得 LTC1163 / LTC1165 成为两节至四节电池供电型应用的理想选择。另外,LTC1163 / LTC1165 还非常适合 3V 以下、3.3V 和 5V 标称电源应用。
LTC1163 / LTC1165 的内部充电泵把栅极电压提升至高于一个 3.3V 电源轨达 8V,从而针对高压侧和低压侧开关应用全面地强化便宜的 N 沟道 MOS 开关。
LTC1163 / LTC1165 可提供 8 引脚 DIP 封装和 8 引脚 SOIC 封装。
- PCMCIA 卡 3.3V/5V 开关
- 两节电池高压侧负载切换
- 升压型稳压器停机至零待用电流
- 替代 P 沟道开关
- 笔记本电脑电源管理
- 掌上型电脑电源管理
- 便携式医疗设备
- 混合式 3.3V 和 5V 电源切换
- 工作范围从 1.8V 至 6V
- 0.01μA 待用电流
- 每个通道的工作电流为 95μA (在 3.3V)
- 全面强化了 N 沟道开关
- 无外部充电泵组件
- 内置栅极电压箝位器
- 可容易地提供针对电源瞬变的保护
- 受控接通和关断时间
- 可兼容 5V、3V 和低于 3V 逻辑器件系列
- 采用 8 引脚 SOIC 封装
LTC1163CN8#PBF,封装:8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch),包装形式及数量:管装,50,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:3.22(100-499个);3.11(1000+个)
LTC1163CS8#PBF,封装:8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch),包装形式及数量:管装,100,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:3.45(100-499个);3.35(1000+个)
LTC1163CS8#TRPBF,封装:8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch),包装形式及数量:卷带,2500,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:3.45(100-499个);3.35(1000+个)





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