LT1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。

内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。

在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。

LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚 PDIP 或24 引脚 SO 宽体封装。

• 高电流电感性负载的PWM
• 半桥式和全桥式电机控制
• 同步降压型开关稳压器
• 三相无刷电机驱动
• 高电流换能器驱动器
• D 类功率放大器

• 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关
• 可把顶端N沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV电源电压
• 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)
• 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通
• 在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护
• TTL/CMOS 输入电平
• 具迟滞的欠压闭锁
• 工作电源电压范围：10V 至 15V
• 单独的顶端和底端驱动引脚

LT1162CSW#PBF，封装：24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch)，包装形式及数量：管装，32，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：6.38（100-499个）；5.92（1000+个）

LT1162CSW#TRPBF，封装：24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch)，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：6.38（100-499个）；5.92（1000+个）

LT1162ISW#PBF，封装：24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch)，包装形式及数量：管装，32，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：7.36（100-499个）；6.84（1000+个）

LT1162ISW#TRPBF，封装：24-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch)，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：7.36（100-499个）；6.84（1000+个）