ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

• 精密数据采集系统
• 高分辨率数据转换器
• 医疗仪器
• 工业过程控制系统
• 光学控制电路
• 精密仪器

• 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV p-p（2.5 V输出）
• 无需外部电容
• 低温度系数
  • A级：10 ppm/°C（最大值）
  • B级：3 ppm/°C（最大值）
• 负载调整率：15 ppm/mA
• 电压调整率：20 ppm/V
• 宽工作温度范围：7.0 V至18 V
• 欲了解更多特性，请参考数据手册

ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

• 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
• 军用温度范围（−55℃至+125℃）
• 受控制造基线
• 封装/测试厂
• 制造厂
• 增强型产品变更通知
• 认证数据可应要求提供
• V62/11602 DSCC图纸号

ADR435ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR435ARMZ-REEL7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR435ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR435ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR435BRMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.21（100-499个）；4.85（1000+个）

ADR435BRMZ-R7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.21（100-499个）；4.85（1000+个）

ADR435BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.21（100-499个）；4.85（1000+个）

ADR435BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.21（100-499个）；4.85（1000+个）

ADR435TRZ-EP，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-55 to 125C，AD官网报价：7.82（100-499个）；7.28（1000+个）

ADR435TRZ-EP-R7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-55 to 125C，AD官网报价：7.82（100-499个）；7.28（1000+个）