ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是一个适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

• 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V输出）
• 无需外部电容
• 低温度系数
  A级： 10 ppm/℃（最大值）
  B级： 3 ppm/℃（最大值）
• 负载调整率： 15 ppm/mA

• 线性调整率： 20 ppm/V
• 宽工作电压范围
  ADR430： 4.1 V至18 V
  ADR431： 4.5 V至18 V
  ADR433： 5.0 V至18 V
  ADR434： 6.1 V至18 V
  ADR435： 7.0 V至18 V
• 高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
• 宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃

ADR430ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR430ARMZ-REEL7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR430ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR430ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.5（100-499个）；3.26（1000+个）

ADR430BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.69（100-499个）；4.77（1000+个）

ADR430BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.69（100-499个）；4.77（1000+个）