亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.，简称AD)凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出IEEE802.3bt受电设备(PD)接口控制器LT4294适用于71W应用传输功率。IEEE802.3bt这种新的以太网供电(PoE)为了支持新的应用应用和功能的功率预算，并支持10Gb以太网(10GBASE-T)，并与旧的保持一致IEEE802.3af和802.3atPoE设备的向后兼容性。当与LT4321PoE理想二极管桥接控制器结合使用时，符合要求IEEE802.3bt草案2.3要求的LT4294PD控制器从RJ-45连接器向热插拔输出提供高达99%的可用功率，并支持新功能，包括额外功能PD类(5、6、7、8)PD型(Type3和Type四、五事件分级。

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LT4294单特征802.3btPD控制器可与任何高效开关稳压器结合使用。单特征PD无需第二个PD控制器，从而降低了系统成本和复杂性。无论是隔离开关还是非隔离开关，开关的灵活性都可以支持现成的销售和专用电源解决方案。集成功率MOSFET的传统PD不同的控制器，LT4294控制外部MOSFET，大幅减少PD802.3bt高功率水平尤为重要。外部MOSFET允许用户选择架构MOSFET适合应用要求的尺寸。基于LT通常选择4294的标准解决方案RDS(ON)30m?MOSFET。

LT4294可分别提供工业和汽车温度级版本–40°C至85°C和–40°C至125°C工作温度范围。LT4294千片批购价为每片1.95美元，已生产供应。LT4294集成开关LT4295802.3btPD接口控制器AD中国代理商这两个设备都提供了从凌力尔特现有的补充功能PoE /LTPoE PD控制器(包括LT4276和LT4275控制器)升级的途径。如需更多信息，请登录www.linear.com.cn/product/LT4294。

照片说明：LTPoE 以太网供电PD接口控制器

性能概要：LT4294

·IEEE802.3af/at/bt(草案2.3)受电(PD)控制器

·N沟外热插拔MOSFET实现最低功耗和最高系统效率

·支持高达71W的PD

·5事件分级检测

·优秀的浪涌保护(1000V绝对最大值)

·结温范围很宽(–40°C至125°C)

·支持低至9V辅助电源可配置

·采用10引线MSOP和3mmx3mmDFN封装