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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
  • 技术参数:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
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OP249GSZ-REEL 技术参数详情:

OP249GSZ-REEL是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能双通道JFET输入运算放大器,采用8引脚SOIC封装,以卷带(TR)形式供货,适用于要求高输入阻抗、高速和宽电源电压范围的精密模拟电路设计。该器件集成了两个独立的放大器电路,其核心架构基于精密的JFET输入级,这一设计从根本上提供了极低的输入偏置电流(典型值30pA)和极高的输入阻抗,有效降低了信号源负载效应,是处理高阻抗传感器信号或微弱电流信号的理想前端。

在功能特性上,该放大器展现了出色的动态性能与直流精度平衡。高达22V/s的压摆率确保了其对快速瞬变信号的响应能力,能够在大信号条件下保持波形不失真,而4.7MHz的增益带宽积则为中频范围内的信号处理提供了充足的带宽裕量。其输入失调电压低至400V,有助于提升系统的直流精度,减少校准需求。供电设计非常灵活,支持±4.5V至±18V的双电源或等效的单电源供电,为不同系统电源架构提供了便利。每个通道可提供高达36mA的输出电流,驱动能力较强。通过正规的ADI代理渠道获取,可以确保器件的可靠供应与技术支持。

从接口与参数来看,其宽工作电压范围与高输出电流能力,使其能够直接驱动多种负载。表面贴装的8-SOIC封装节省了电路板空间,适合高密度布局。器件的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。静态电流消耗为5.6mA(典型值),在提供高性能的同时兼顾了功耗的合理性。

基于上述技术特点,OP249GSZ-REEL非常适合应用于需要高输入阻抗和高速性能的领域。典型应用场景包括精密数据采集系统的前端信号调理、光电二极管或压电传感器等I/V转换电路、有源滤波器、高速积分器以及测试测量设备中的模拟信号处理通道。其双通道设计也使其在需要多路同步或差分信号处理的场合,如仪表放大器的核心单元,具有显著的成本和空间优势。

  • 型号:OP249GSZ-REEL
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:J-FET
  • 电路数:2
  • 输出类型:-
  • 压摆率:22V/s
  • 增益带宽积:4.7 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:30 pA
  • 电压 - 输入补偿:400 V
  • 电流 - 供电:5.6mA
  • 电流 - 输出/通道:36 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):9 V
  • 电压 - 跨度(最大值):36 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • OP249GSZ-REEL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

OP249GSZ-REEL是一款双通道、JFET输入运算放大器,以其高输入阻抗和高速性能为核心卖点。其JFET输入级实现了极低的30pA输入偏置电流,非常适合连接高阻抗信号源而不引入显著负载误差。

该器件提供22V/s的高压摆率和4.7MHz的增益带宽积,确保了良好的瞬态响应和中频信号处理能力。其工作电压范围宽广(±4.5V ~ ±18V),输出电流达36mA,并能在-40°C至85°C的工业温度范围内稳定工作,封装为节省空间的8-SOIC,适用于对精度、速度和鲁棒性有要求的各类模拟电路设计。

LTC2151-12:单通道、12 位、210Msps
ADUM3165:用于隔离USB 2.0高速、全速和低速应用的3.75 kV RMS数字隔离器
LTC1296:单芯片 12 位数据采集系统
LTC1693:高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
ADMV7410:E 频段低噪声下变频器 SiP,71 GHz 至 76 GHz
AD824:单电源、轨到轨、低功耗、FET输入运算放大器
LTC3553:具锂离子电池充电器、LDO 和降压型稳压器的微功率 USB 电源管理器
ADF4112:单通道、整数N分频、3.0 GHz PLL,内置可编程预分频器和电荷泵
HMC362-DIE:InGaP HBT Divide-by-4 Chip, DC - 11 GHz
HMC264LM3:次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 30 GHz
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