- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，封装:14-SOIC
- 技术参数：TRANS 4NPN QUAD 40V 30MA 14-SOIC
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MAT14ARZ是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能四通道NPN双极性晶体管阵列，采用单片集成电路工艺制造。该器件在同一硅片上集成了四个经过精密匹配的NPN晶体管，其核心价值在于提供了卓越的匹配性能和热耦合特性。由于所有晶体管共享同一衬底并处于相同的工艺和温度环境中，其关键参数如VBE（基极-发射极电压）和hFE（直流电流增益）的匹配度远高于分立晶体管方案，这对于需要高精度差分信号处理的电路至关重要。
该芯片的功能特点突出体现在其低噪声和高速性能上。其集电极-发射极饱和压降典型值极低，在特定工作条件下可低至60mV，这有助于降低信号失真和功耗，提升系统的动态范围。同时，高达300MHz的跃迁频率使其能够胜任中高频信号放大和开关应用，确保信号保真度。器件在-65°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，展现了出色的环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取此产品及相关技术支持。
在接口与参数方面，MAT14ARZ采用紧凑的14引脚SOIC表面贴装封装，便于高密度PCB布局。每个晶体管的最大集电极电流为30mA，集电极-发射极击穿电压为40V，集电极截止电流低至纳安级别，这些参数共同定义了其安全工作区。其低饱和压降与高电流增益的组合，使其在精密电流镜、长尾对（差分对）放大器、对数放大器以及低电平信号开关电路中表现出色，能够有效减少由器件失配引入的系统误差。
基于上述特性，MAT14ARZ广泛应用于对匹配度和温度稳定性要求苛刻的模拟电路领域。典型应用场景包括精密仪器仪表中的前端传感信号调理、高精度电压比较器、模拟乘法器以及需要多路匹配电流源的LED驱动或偏置电路。其单片集成的架构也使其成为替换多个分立配对晶体管的理想选择，能够显著简化电路设计、节省板级空间并提升系统的一致性与可靠性。
- 型号:MAT14ARZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:14-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN QUAD 40V 30MA 14-SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:4 NPN（四）配对
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:60mV @ 100A，1mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:-
- 频率 - 跃迁:300MHz
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SOIC
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MAT14ARZ是ADI公司生产的一款有源、表面贴装型四通道NPN双极性晶体管阵列。该器件集成了四个单片匹配的NPN晶体管，最大集电极电流为30mA，集电极-发射极击穿电压达40V，专为需要高精度匹配和优异热跟踪性能的应用而设计。
其核心卖点在于极低的集电极-发射极饱和压降（典型值60mV @ 100A, 1mA）和高达300MHz的跃迁频率，确保了在精密放大和开关电路中的低失真与高速响应能力。同时，低至3nA的集电极截止电流和-65°C至150°C的宽工作结温范围，进一步保障了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
