
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:TO-78-6
- 技术参数:TRANS 2PNP 36V 20MA TO-78-6
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MAT03FH是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能双PNP晶体管阵列,采用经典的TO-78-6金属罐封装,以其卓越的匹配特性和稳定的电气性能,在精密模拟电路中占据重要地位。该器件内部集成了两个经过精密匹配的PNP晶体管,其制造工艺确保了极低的失调电压和高度一致的动态参数,这对于需要高精度差分输入或镜像电流源的应用至关重要。其金属封装不仅提供了优异的热稳定性和电磁屏蔽特性,也使其能够在-55°C至150°C的宽结温范围内可靠工作,满足严苛的工业与军事环境要求。
该芯片的核心优势在于其精密的匹配性,两个晶体管在关键参数上高度一致,显著降低了由器件失配引起的系统误差。其集电极-发射极饱和压降在特定工作条件下可低至100mV,这有助于在低电压下实现高效的信号处理,减少不必要的功耗。同时,高达190MHz的跃迁频率使其能够胜任中频信号处理任务,而36V的最大集射极击穿电压则提供了足够的电压裕量,增强了电路的鲁棒性。对于需要稳定、长期供应的项目,通过可靠的ADI一级代理商进行采购是确保正品货源和支持的重要途径。
在电气参数方面,MAT03FH的集电极最大持续电流为20mA,最大功耗为500mW,这些参数定义了其适用的信号电平范围,使其非常适合小信号放大、对数放大、电压比较以及精密电流源等低功耗、高精度场景。其通孔安装方式便于在原型开发或对可靠性要求极高的厚膜混合电路中进行焊接和测试。尽管该产品目前已处于停产状态,但其经典的设计和可靠的性能使其在现有的高端仪器、专业音频设备以及需要长期维护的军用系统中依然被广泛使用和寻求。
基于上述特性,MAT03FH典型的应用场景包括高精度运算放大器的输入级、低噪声前置放大器、精密的模拟乘法器与除法器,以及需要高度对称性的差分对管电路。它在那些对温度漂移、噪声和长期稳定性有极致要求的系统中发挥着不可替代的作用,是资深电路设计师在构建高性能模拟前端时曾经优先考虑的核心器件之一。
- 型号:MAT03FH
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:TO-78-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 2PNP 36V 20MA TO-78-6
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:2 PNP(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):36V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):100mV @ 100A,1mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
- 功率 - 最大值:500mW
- 频率 - 跃迁:190MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装:TO-78-6
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MAT03FH是ADI(Analog Devices)生产的一款精密匹配双PNP晶体管阵列,采用TO-78-6金属罐封装。该器件集成了两个电气特性高度一致的PNP晶体管,专为要求卓越匹配精度和稳定性的低电平信号处理应用而设计。
其关键参数包括36V的集射极击穿电压、20mA的最大集电极电流以及低至100mV的饱和压降,确保了在宽动态范围内的线性性能。高达190MHz的跃迁频率使其适用于中频放大,而500mW的最大功耗和-55°C至150°C的工作结温范围则保证了其在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为精密放大器、电流镜和电压比较器等模拟电路中的理想选择。



















