- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:12-MSOP-EP
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12MSOP
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LTC7060HMSE#PBF是一款由亚德诺半导体（ADI）设计生产的高性能半桥栅极驱动器，采用12引脚MSOP封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET而优化，其核心架构集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高侧和低侧开关管。其高侧驱动器通过一个集成的自举电路实现浮动供电，从而能够轻松支持高达100V的系统总线电压，这一设计使得它能够高效地管理高电压摆幅，同时简化了外围电路设计。
在功能实现上，该驱动器具备6A的峰值拉灌电流能力，能够快速对MOSFET的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗并提升系统效率。其内置的1.5欧姆（典型值）导通电阻有助于确保驱动信号的完整性与快速响应。为了保障系统在复杂工况下的稳定运行，芯片集成了全面的故障保护机制，包括欠压锁定（UVLO）和击穿保护。UVLO功能可在电源电压不足时禁止输出，防止MOSFET工作在线性区而过热；击穿保护则能有效避免高侧与低侧开关管因误触发而同时导通，从根本上杜绝了直通短路的风险。
该器件的接口设计简洁高效，通过标准的PWM信号即可实现对高侧和低侧通道的独立控制，兼容广泛的数字控制器。其供电电压范围（VCC）为6V至14V，负载电压范围同样为6V至14V，工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了其在工业与汽车等严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ADI代理商获取原厂正品和技术支持。
基于其强大的驱动能力、高集成度的自举电路以及鲁棒的保护特性，LTC7060HMSE#PBF非常适合应用于电机驱动、开关电源、DC-DC转换器以及各类通用型半桥或全桥拓扑中。无论是工业自动化设备中的伺服驱动，还是新能源领域的功率转换单元，该芯片都能提供高效、可靠的栅极驱动解决方案，帮助设计工程师简化系统设计，提升整体功率密度和可靠性。
- 型号:LTC7060HMSE#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-MSOP-EP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12MSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:-
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:-
- 驱动器数:-
- 栅极类型:-
- 电压 - 供电:6V ~ 14V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:-
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-TSSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
- 供应商器件封装:12-MSOP-EP
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LTC7060HMSE#PBF是ADI推出的一款100V半桥栅极驱动器，采用表面贴装型12-TSSOP封装。该器件集成了自举电路，能够高效驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET，其6A的峰值输出电流确保了快速的开关切换，有助于优化系统效率。
该驱动器具备6V至14V的宽范围供电电压，并集成了欠压锁定（UVLO）和击穿保护等关键故障保护功能，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，为通用型电源和电机驱动应用提供了高可靠性的解决方案。
