
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:12-MSOP-EP
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12MSOP
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LTC7060EMSE#TRPBF是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能半桥栅极驱动器,采用12引脚MSOP封装,专为驱动N沟道功率MOSFET而设计。该器件内部集成了两个独立的通道,分别用于驱动高端和低端开关管,其架构核心在于集成了自举电路和浮动通道,这使得高端驱动器能够轻松工作在远高于电源电压的电位上,从而简化了高压侧驱动的设计复杂性,无需依赖独立隔离电源。其内部逻辑电路确保了输入信号与输出驱动之间的精确时序控制,有效防止了上下管同时导通的直通风险。
在功能实现上,该驱动器展现了卓越的性能。高达100V的绝对最大电压额定值使其能够从容应对工业电机控制、电源转换等高压环境。其峰值输出电流能力达到6A,可以快速对MOSFET的栅极电容进行充放电,显著降低开关损耗并提升系统效率,尤其适用于高频开关应用。器件内置了完善的故障保护机制,包括欠压锁定(UVLO)和击穿保护,前者确保在VCC电压不足时关闭输出,防止MOSFET工作在线性区而过热;后者则通过内部死区时间控制,从根本上杜绝了半桥臂直通短路的风险,极大地增强了系统的鲁棒性和可靠性。
该芯片的接口设计简洁高效,采用标准的PWM信号输入,兼容广泛的控制器。其供电电压范围(VCC)为6V至14V,与常见的逻辑电平及模拟控制电路兼容。导通电阻典型值低至1.5欧姆(低侧)和1.5毫欧(高侧参考),有助于减少驱动级的损耗。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是保障产品正品与后续服务的关键。
基于其强大的驱动能力、高压耐受性和集成保护特性,LTC7060EMSE#TRPBF非常适合多种功率电子应用场景。它广泛应用于工业自动化中的三相电机驱动、无刷直流(BLDC)电机控制、开关电源(如半桥、全桥拓扑)、DC-DC转换器以及光伏逆变器等领域。其通用型设计使其成为工程师在构建高效、紧凑且可靠的功率驱动级时的优选解决方案。
- 型号:LTC7060EMSE#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-MSOP-EP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:-
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:-
- 驱动器数:-
- 栅极类型:-
- 电压 - 供电:6V ~ 14V
- 逻辑电压- VIL,VIH:-
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:-
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-TSSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
- 供应商器件封装:12-MSOP-EP
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LTC7060EMSE#TRPBF是一款由Analog Devices生产的100V半桥栅极驱动器,采用表面贴装型12-TSSOP封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET设计,集成了自举电路以简化高压侧驱动,其峰值输出电流高达6A,可快速开关容性负载,有效提升系统效率。
该驱动器具备6V至14V的宽范围供电电压,并集成了关键的故障保护功能,包括欠压锁定(UVLO)和击穿保护,确保了功率级的安全可靠运行。其工作结温范围为-40°C至150°C,适用于要求严苛的工业环境。这款通用型驱动器是电机控制、电源转换等高压、高频应用的理想选择。
LTC7000-1:快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器



















