
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:10-MSOP-EP
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
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LTC7001HMSE#PBF是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能高端栅极驱动器,采用紧凑的10引脚MSOP封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET而优化,其架构集成了自举充电电路和先进的电平转换技术,能够在高达135V的浮动电压下稳定工作。这种设计使得它能够直接驱动位于高侧(电源轨)的开关管,而无需依赖复杂的光耦或变压器隔离方案,极大地简化了半桥或同步整流等拓扑的电路设计。
在功能实现上,该驱动器具备出色的动态性能,其典型的上升和下降时间分别为90纳秒和40纳秒,确保了功率开关管的快速导通与关断,从而有效降低开关损耗并提升系统效率。非反相的输入逻辑使其控制信号与输出行为保持一致,便于与微控制器或PWM信号源直接接口。其宽泛的3.5V至15V供电电压范围,使其既能兼容标准的逻辑电平,也能适应更高的驱动电压需求,为MOSFET提供充分的栅极驱动强度。
接口与电气参数方面,LTC7001HMSE#PBF是一款单通道高端驱动器,采用表面贴装形式。其坚固的设计支持-40°C至150°C的宽结温范围,适用于严苛的工业环境。对于需要可靠供应链保障的批量应用,通过ADI授权代理进行采购是确保产品正品性和技术支持的推荐途径。该器件的核心优势在于其高耐压、快速开关以及简洁的应用接口,这些特性共同构成了其在功率转换领域中的竞争力。
基于上述特性,该芯片非常适合应用于需要高效、可靠高侧开关驱动的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流Buck电路、电机驱动中的半桥或全桥逆变器、以及通信电源和工业电源中的高侧开关控制。在这些系统中,它能够有效提升功率密度和整体能效,是工程师实现高性能电源管理设计的优选组件。
- 型号:LTC7001HMSE#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:10-MSOP-EP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:3.5V ~ 15V
- 逻辑电压- VIL,VIH:-
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):135 V
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
- 供应商器件封装:10-MSOP-EP
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LTC7001HMSE#PBF是ADI公司推出的一款单通道高端栅极驱动器IC,属于电源管理IC中的栅极驱动器系列。该器件采用10-MSOP封装,设计用于高效驱动N沟道MOSFET。
其核心卖点在于支持高达135V的浮动电压,并集成自举功能,简化了高侧驱动设计。器件具备快速的开关特性(典型上升/下降时间为90ns/40ns)和3.5V至15V的宽供电范围,确保了驱动强度和效率。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,满足工业级应用的可靠性要求。



















