还在为高压侧MOSFET的驱动难题而费神吗？LTC7000MPMSE-1#TRPBF这颗高性能高端栅极驱动器，就是为您简化设计、提升性能的利器。它能轻松驾驭高达135V的电压，并以极快的开关速度（典型上升时间90ns，下降时间40ns）精准控制N沟道MOSFET，让您的电源系统响应更迅捷，运行更高效。

这颗芯片专为严苛环境而生，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在工业自动化、汽车电子等高压应用场景中稳定可靠。其3.5V至15V的宽供电范围和非反相输入设计，让您的系统集成变得异常轻松。选择它，就是选择让复杂的高压驱动设计化繁为简，直接获得ADI领先的电源管理技术，为您的产品注入强劲而可靠的核心动力。

• 制造商产品型号：LTC7000MPMSE-1#TRPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：单路
• 驱动器数：1
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：3.5V ~ 15V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：135V
• 上升/下降时间（典型值）：90ns，40ns
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：16-TFSOP（0.118，3.00mm 宽）12 引线，
• LTC7000MPMSE-1#TRPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。