
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:16-MSOP-EP
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
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LTC7000JMSE#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计的高性能、高可靠性栅极驱动器,专为在严苛环境下驱动高端N沟道MOSFET而优化。其核心架构集成了一个高压电平转换器和一个强大的栅极驱动级,能够在高达135V的电源电压下稳定工作,并直接兼容3.3V或5V的逻辑电平输入。该器件内部集成了先进的保护电路,包括欠压锁定(UVLO)和过温保护,确保在电源异常或环境温度极端时,系统能够安全关断,防止功率开关管损坏。
该芯片的功能特点突出体现在其快速开关性能与宽范围工作电压上。其典型的上升和下降时间分别为90ns和40ns,这有助于降低开关损耗,提升系统整体效率,特别适用于高频开关应用。其3.5V至135V的宽供电范围,使其能够轻松应对汽车电子、工业控制等场景中常见的宽输入电压波动。作为一款符合AEC-Q100标准的车规级产品,它能够在-40°C至150°C的结温范围内稳定运行,满足汽车应用对可靠性的严苛要求。用户可以通过ADI授权代理获取完整的技术支持和供应链保障。
在接口与参数方面,LTC7000JMSE#TRPBF采用非反相输入逻辑,简化了控制环路设计。它采用单通道、高端驱动配置,封装为节省空间的16引脚TFSOP,并采用卷带包装,适合自动化表面贴装生产线。其设计简化了传统高压侧驱动所需的自举电路,提供了更简洁、更可靠的解决方案。关键的工作参数,如宽温范围、快速开关特性以及高耐压能力,共同构成了其在复杂电力电子系统中的核心价值。
该器件的典型应用场景广泛,尤其适用于需要高边开关和高效能的领域。在汽车电子中,它可用于驱动燃油喷射器、电机控制单元(ECU)中的负载以及电池管理系统(BMS)的预充电电路。在工业自动化领域,它能用于PLC输出模块、伺服驱动器和电源转换模块。其高耐压和快速响应特性也使其成为通信电源、光伏逆变器和高压DC/DC转换器中驱动功率MOSFET或IGBT的理想选择,为系统提供高效、紧凑且可靠的驱动方案。
- 型号:LTC7000JMSE#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-MSOP-EP
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:3.5V ~ 135V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.8V,1.7V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
- 供应商器件封装:16-MSOP-EP
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LTC7000JMSE#TRPBF是ADI公司推出的一款高速、高压保护型高端N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件设计用于在3.5V至135V的宽电源电压范围内工作,可直接由低电压逻辑信号控制,极大简化了高压侧驱动的设计复杂度。
其核心优势在于集成了快速开关能力(典型上升/下降时间为90ns/40ns)与全面的内置保护功能,确保了驱动过程的高效与安全。作为符合AEC-Q100标准的车规级产品,它能够在-40°C至150°C的极端结温下稳定运行,提供了面向汽车和工业应用的高可靠性解决方案。其紧凑的16-TFSOP封装和卷带包装形式,也满足了现代电子制造对空间和自动化生产的需求。



















