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LTC6993HS6-4#TRMPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器,封装:TSOT-23-6
  • 技术参数:IC MMV 1-CIR 11-NS TSOT-23-6
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LTC6993HS6-4#TRMPBF 技术参数详情:

LTC6993HS6-4#TRMPBF是亚德诺半导体(ADI)旗下LTC6993系列的一款高性能单稳态多谐振荡器(单触发)芯片。该器件采用精密的CMOS架构设计,集成了一个可重触发的单稳态电路,其核心是一个由外部电阻(RSET)编程控制的精准内部振荡器。这种架构确保了输出脉冲宽度具有极高的精度和稳定性,其宽度由公式tPULSE = K × RSET × CSET决定,其中比例系数K由器件后缀(如“-4”)精确设定,从而实现了与电源电压和温度变化几乎无关的定时功能。

该芯片的功能特点十分突出。它具备11纳秒的极快传播延迟,能够响应高速的触发信号,适用于对时序要求苛刻的应用。其输出级采用推挽结构,提供对称的16mA灌电流和拉电流能力,可直接驱动容性负载或低阻抗线路,增强了接口的驱动灵活性。工作电压范围覆盖2.25V至5.5V,使其能无缝兼容3.3V和5V逻辑系统,并具备出色的电源噪声抑制能力。此外,其可重触发特性允许在新的触发信号到来时重置并延长输出脉冲,增加了设计的灵活性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过正规的ADI授权代理进行采购是确保产品正品和质量的关键。

在接口与参数方面,LTC6993HS6-4#TRMPBF采用节省空间的TSOT-23-6封装,仅需一个外部电阻(RSET)和一个外部电容(CSET)即可完成配置,极大简化了外围电路。其宽泛的-40°C至125°C工作温度范围确保了在工业级和汽车级恶劣环境下的可靠运行。逻辑类型为单稳态,每个芯片包含一个独立电路,虽然不具备施密特触发器输入,但其快速的边沿响应足以满足多数数字定时需求。

基于其高精度、高速和强驱动特性,LTC6993HS6-4#TRMPBF非常适合一系列要求严格的定时与脉冲生成场景。典型应用包括精密延时电路、脉冲宽度鉴别器、电机驱动或电源系统中的死区时间控制、以及通信设备中的时序恢复和信号调理。在测试测量设备、工业自动化和汽车电子系统中,它常被用作关键事件的定时基准或生成控制逻辑所需的干净、稳定的脉冲信号。

  • 型号:LTC6993HS6-4#TRMPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:TSOT-23-6
  • 类目:集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
  • 描述:IC MMV 1-CIR 11-NS TSOT-23-6
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 逻辑类型:单稳态
  • 独立电路:1
  • 施密特触发器输入:无
  • 传播延迟:11 ns
  • 电流 - 输出高、低:16mA,16mA
  • 电压 - 供电:2.25 V ~ 5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装:TSOT-23-6
  • LTC6993HS6-4#TRMPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LTC6993HS6-4#TRMPBF是ADI公司推出的一款单稳态多谐振荡器,属于LTC6993产品系列。该器件专为生成精确、稳定的定时脉冲而设计,其输出脉冲宽度由单个外部电阻编程,具有极高的精度和优异的电源电压、温度稳定性。

它具备11ns的快速传播延迟和对称的16mA输出驱动能力,工作电压范围为2.25V至5.5V,兼容广泛的逻辑电平。器件采用TSOT-23-6小型封装,支持-40°C至125°C的扩展工作温度,适用于空间受限且环境要求严苛的工业与汽车应用,是高性能定时和脉冲整形电路的理想选择。

AD8402:双通道数字电位计
HMC746:13 Gbps快速上升时间AND/NAND/OR/NOR门,提供可编程输出电压
AD8333:DC至50 MHz、双通道I/Q解调器和移相器
LT3055:具精准电流限值和诊断功能的 500mA 线性稳压器
LT1671:60ns、低功率、单电源、接地检测比较器
ADA4937-1:超低失真差分ADC驱动器(单通道)
AD5683:小型、16位SPI nanoDAC+,配备±2(16位)LSB INL和2 ppm/°C 外部基准电压源
ADV3201:300 MHz、32 × 32缓冲式模拟交叉点开关
ADM8318:内置看门狗、低电平有效和高电平有效推挽复位输出的监控电路
ADG1233:低电容, ±15 V/12 V iCMOS 、三通道单刀双掷开关
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