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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(5x5)
  • 技术参数:IC MIXR 2.3-4.5GHZ DWNCONV 24QFN
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LTC5593IUH#PBF 技术参数详情:

LTC5593IUH#PBF是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能、双通道有源混频器,采用先进的硅工艺架构,专为2.3GHz至4.5GHz频段的高线性度下变频应用而设计。其核心架构集成了两个独立的高性能混频器内核,每个通道均包含一个集成LO缓冲放大器和IF输出放大器,这种高度集成的设计有效简化了外部电路,同时确保了通道间出色的隔离度与匹配性,为多通道接收系统提供了可靠的性能基础。

该器件在宽频带范围内提供了卓越的线性度表现,典型增益为7dB,噪声系数为12dB,能够在高输入信号电平下保持低失真,这对于现代高密度调制信号(如LTE、WiMax)的处理至关重要。其工作电压范围宽达3.1V至5.3V,单通道典型供电电流为198mA,双通道总电流约为396mA,为系统设计提供了灵活的电源管理选项。封装采用紧凑的24引脚QFN(4mm x 4mm)表面贴装形式,非常适合空间受限的高密度PCB布局。

在接口与参数方面,LTC5593IUH#PBF支持单端或差分LO输入,简化了本振源的设计。其RF和LO端口内部已匹配至50欧姆,减少了外部匹配元件的需求。作为一款降频变频器,它能够高效地将RF输入信号转换至较低的IF频率,其高输入三阶交调截点(IIP3)确保了在存在强干扰信号的环境下仍能清晰接收目标信号,提升了系统的动态范围和抗阻塞能力。

该芯片典型的应用场景包括4G/5G蜂窝基础设施的收发信机、微波点对点回程链路、卫星通信终端以及测试测量设备。其覆盖的频段完美契合了LTE Band 42/43及部分5G NR频段,以及WiMax系统的工作频率,是构建高性能、高可靠性射频前端下变频链路的理想选择。对于需要可靠供应链和技术支持的工程师,可以通过ADI中国代理获取该器件的样品、数据手册以及详细的设计支持。

  • 型号:LTC5593IUH#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXR 2.3-4.5GHZ DWNCONV 24QFN
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 频率:2.3GHz ~ 4.5GHz
  • 混频器数:2
  • 增益:7dB
  • 噪声系数:12dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流 - 供电:396mA
  • 电压 - 供电:3.1V ~ 5.3V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-WQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(5x5)
  • LTC5593IUH#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LTC5593IUH#PBF是ADI公司生产的一款双通道有源下变频混频器,工作频率覆盖2.3GHz至4.5GHz,专为LTE、WiMax等高性能无线通信系统设计。

该器件集成了两个独立的混频器通道,每个通道提供7dB的转换增益和12dB的噪声系数,在3.1V至5.3V的宽电源电压范围内工作,典型总功耗约为1.23W(3.1V/396mA)。其高线性度特性使其能够处理复杂的调制信号,同时紧凑的24-QFN(4mm x 4mm)封装满足现代射频模块对高集成度和小尺寸的严格要求。

ADRF5301:35 GHz 至 44 GHz 硅 SPDT 反射开关
HMC8205:0.3或0.4 GHz至6 GHz、35 W、GaN功率放大器
HMC561-DIE:x2有源倍频器芯片,8 - 21 GHz Fout
LTC6401-8:用于 DC 至 140MHz 频率范围的 2.2GHz 低噪声、低失真差分 ADC 驱动器
HMC594LC3B:低噪声放大器,采用SMT封装,2 - 4 GHz
LTC2645:具 10ppm/C 基准的四通道、12 / 10 / 8 位 PWM 至 VOUT DAC
AD8206:单电源42V系统差分放大器
ADA4522-2:双通道55V、EMI增强型、零漂移、超低噪声、RRO运算放大器
AD5300:2.7 V至5.5 V、140 A、轨到轨电压输出、8位DAC,采用SOT-23和MicroSOIC封装
HMC549:双路输出低噪声放大器,采用SMT封装,0.04 - 0.96 GHz
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