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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444HMS8E-5#TRPBF 技术参数详情：
还在为功率MOSFET驱动不够力、开关速度慢而拖累整体效率吗？LTC4444HMS8E-5#TRPBF将彻底改变这一局面。这颗来自ADI的半桥栅极驱动器，专为高效、高速开关应用而优化，它能为您提供高达3A/2.5A的强劲峰值驱动电流，并以低至8ns/5ns的极速上升下降时间，让您的MOSFET开关干净利落，显著降低开关损耗，提升电源转换效率。
它支持宽达4.5V至13.5V的驱动供电电压，并拥有高达114V的自举电压能力，让您在设计高压侧驱动时更加从容。其独立的双通道设计，可轻松配置用于驱动半桥、同步整流或双开关正激拓扑。从工业电机驱动到通信电源，从-40°C到150°C的宽广工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高效、紧凑、可靠电源系统的理想选择。
- 制造商产品型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：4.5V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
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ADRF5345：高线性度硅SP4T开关，1.8 GHz至3.8 GHz
LTC2378-16：具 97dB SNR 的 16 位、1Msps、低功率 SAR ADC
AD53509G：单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载
ADRF5046：100 MHz 至 44 GHz 硅 SP4T 反射开关
LTC6908：具扩频调制功能、采用电阻器设定频率的 SOT-23 封装振荡器
ADG453：LC2MOS 5Ω 导通电阻RON 单刀单掷开关
AD589S：航空航天用精密1.2 V IC基准电压源
AD5065：全精度、16位、VOUT nanoDAC，SPI接口，2.7 V至5.5 V电源，采用TSSOP封装
AD5324：2.5 V至5.5 V、500 A、四通道、电压输出12位DAC，采用10引脚封装
LTC1682：具低噪声线性稳压器的倍压器充电泵
丰富的可销售AD代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的AD代理