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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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LTC4444HMS8E-5#PBF 技术参数详情：
还在为功率MOSFET的驱动速度和控制精度发愁吗？LTC4444HMS8E-5#PBF正是为您排忧解难的得力助手。这颗高效的半桥栅极驱动器，能为您提供强劲、快速的开关控制，其高达3A的拉出和2.5A的灌入峰值电流，配合纳秒级的开关速度，能显著降低开关损耗，让您的电源转换系统运行得更凉快、更高效。
它专为驱动N沟道MOSFET而优化，支持高达114V的自举电压，轻松应对半桥、全桥等拓扑结构。宽电源电压范围和兼容低电压逻辑的输入，让您能轻松将其集成到现有的控制电路中，大大简化设计难度。无论是提升工业电机驱动的响应速度，还是优化新能源领域的逆变器效率，它都能让您的产品性能脱颖而出，可靠运行于-40°C至150°C的广阔温度范围。
- 制造商产品型号：LTC4444HMS8E-5#PBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：4.5V ~ 13.5V
- 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：114V
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- LTC4444HMS8E-5#PBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC311LP3：InGaP HBT增益模块MMIC放大器，DC - 6 GHz
ADE9153B：具有传感器监控和自校准功能的电能计量 IC
LTC2175-12：12 位、125Msps 低功率四通道 ADC
HMC457：1瓦特功率放大器，采用SMT封装，1.7 - 2.2 GHz
ADSP-21587：双核SHARC+ DSP、双通道DDR、529-cspBGA
LTM8058：具 LDO 后置稳压器的 3.1VIN 至 31VIN 隔离式 μModule DC/DC 转换器
AD7763：串行接口、625 kSPS、24位Σ-Δ型ADC
LTC2170-12：12 位、25Msps 低功率 4 通道 ADC
AD5161：256位、SPI/I2C 可选数字电位计
LTC3643：2A 双向后备电源
丰富的可销售AD代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的AD代理