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LTC4357IMS8#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:8-MSOP
  • 技术参数:IC OR CTRLR N+1 8MSOP
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LTC4357IMS8#TRPBF 技术参数详情:

LTC4357IMS8#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管控制器系列。该器件采用紧凑的8引脚MSOP封装,专为在9V至80V的宽输入电压范围内工作而优化,其核心功能是控制外部N沟道MOSFET,以模拟近乎理想的二极管特性,从而实现高效、低损耗的电源路径管理和冗余备份。

该芯片的核心架构旨在解决传统肖特基二极管方案中因正向压降导致的显著功率损耗和热管理问题。通过快速驱动外部MOSFET,它能够创建一个压降极低的单向电流路径。其关键特性包括极低的300ns关断延迟时间,这确保了在输入电源发生故障或短路时,能够迅速关断MOSFET,防止电流反向流动,从而保护上游电源和负载。此外,其静态工作电流仅为500A,有助于降低系统待机功耗。

在接口与参数方面,LTC4357IMS8#TRPBF设计用于控制多个并联的电源输入(N个)向一个共同负载(1个)供电,即N:1的ORing配置。它本身不集成功率开关,而是通过栅极驱动引脚控制外部MOSFET,这为设计提供了灵活性,允许根据具体的电流和电压要求选择最合适的MOSFET。其宽达9V至80V的工作电压范围,结合-40°C至85°C的工业级工作温度,使其能够适应苛刻的环境。对于需要可靠供应链保障的客户,通过正规的ADI授权代理进行采购是确保产品正品和质量的关键。

该器件的典型应用场景集中在需要高可靠性和连续运行的系统之中。在电信和网络基础设施设备中,它用于实现冗余电源的“或”(ORing)功能,确保在主电源失效时无缝切换至备用电源,避免系统中断。在汽车电子领域,其宽温范围和坚固设计使其适用于需要电源冗余和负载保护的ADAS(高级驾驶辅助系统)或信息娱乐平台。此外,在工业控制系统和服务器电源备份架构中,它也是构建高效、可靠电源分配网络的理想选择。

  • 型号:LTC4357IMS8#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
  • 描述:IC OR CTRLR N+1 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:N+1 ORing 控制器
  • FET 类型:N 通道
  • 比率 - 输入:N:1
  • 内部开关:无
  • 延迟时间 - 开启:-
  • 延迟时间 - 关闭:300 ns
  • 电流 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 供电:500 A
  • 电压 - 供电:9V ~ 80V
  • 应用:冗余电源,电信基础结构
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
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LTC4357IMS8#TRPBF是一款N+1 ORing控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET以替代功率二极管,实现高效电源路径管理和冗余。其核心优势在于极低的导通压降和快速关断保护。

该器件支持9V至80V的宽输入电压范围,静态电流仅为500A,关断延迟低至300ns,能迅速隔离故障电源。其设计适用于-40°C至85°C环境,满足汽车、电信及工业领域对高可靠性冗余电源解决方案的严苛要求。

LTC6103:双通道、高电压、高压侧电流检测放大器
AD9783:双通道、16位、LVDS接口、500 MSPS DAC
LT6700:具 400mV 基准的微功率、低电压、双通道比较器
ADG1436:1.5 Ω导通电阻、±15 V/12 V/±5 V, iCMOS®,双通道单刀双掷开关
AD5316R:四通道、10 位 nanoDAC,带有 2 ppm/°C 基准电压源和 I2C 接口
AD5317R:四通道、10位nanoDAC,内置2 ppm/°C基准电压源和SPI接口
ADXRS652:±250°/s偏航角速度陀螺仪
HMC-ALH508:低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz
HMC532:采用SMT封装的VCO,带有缓冲放大器,7.1 - 7.9 GHz
HMC936A:6位数字移相器SMT,1.2 - 1.4 GHz
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