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LTC4267CDHC-3#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 以太网供电(PoE)控制器,封装:16-DFN(5x3)
  • 技术参数:IC POE CNTRL 1 CHANNEL 16DFN
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LTC4267CDHC-3#PBF 技术参数详情:

LTC4267CDHC-3#PBF是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款单通道以太网供电(PoE)受电设备(PD)控制器,采用紧凑的16引脚DFN封装。该器件专为符合IEEE 802.3af标准的PoE应用而设计,集成了完整的PD接口和DC/DC控制器,能够从以太网线缆中侦测、分类并获取稳定的直流电源,为网络终端设备提供高达12.95W的功率。其设计核心在于高集成度与可靠性,内部包含了必要的检测签名电阻、分类电流源以及热插拔MOSFET驱动器,简化了外部电路设计。

该芯片的功能设计围绕PoE供电的完整流程展开。在连接阶段,它执行符合标准的侦测与分类操作,确保与供电设备(PSE)的安全握手。其内置的热插拔控制器负责管理上电浪涌电流,并集成了一个100V、400mA的N沟道MOSFET作为开关管,提供了稳健的线缆端接口保护。作为一款PD控制器,它本身不包含内部DC/DC功率开关,但集成了关键的PWM控制器和栅极驱动器,能够灵活地驱动外部MOSFET,构建高效的反激或降压等隔离/非隔离式转换器拓扑,从而将输入的44V至57V高压转换为设备所需的低压。

在接口与参数方面,LTC4267CDHC-3#PBF支持高达57V的最大输入电压,典型工作电流仅为3mA,有助于降低系统待机功耗。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于商业级应用环境。表面贴装型的DFN封装优化了PCB空间占用,并具有良好的散热性能。对于需要稳定、可靠PoE电源方案的工程师而言,从专业的ADI一级代理商处获取此器件,能够确保原装正品和完整的技术支持。

该控制器典型的应用场景包括各类需要通过以太网获取电力的网络设备,例如无线接入点(AP)、网络摄像头(IP Camera)、VoIP电话、物联网传感器节点以及小型网络交换机等。在这些应用中,它提供了一个免除了独立电源线或本地电源适配器的简洁、可靠的供电解决方案,简化了安装与维护流程,尤其适用于难以部署传统电源线的场合,是实现设备供电集中化、布线简化的关键元器件。

  • 型号:LTC4267CDHC-3#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-DFN(5x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 以太网供电(PoE)控制器
  • 描述:IC POE CNTRL 1 CHANNEL 16DFN
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 类型:控制器(PD),DC/DC
  • 通道数:1
  • 功率 - 最大值:12.95 W
  • 内部开关:无
  • 辅助作用:无
  • 标准:802.3af(PoE)
  • 电压 - 供电:57V(最大)
  • 电流 - 供电:3mA(最大)
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-DFN(5x3)
  • LTC4267CDHC-3#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LTC4267CDHC-3#PBF是一款符合IEEE 802.3af标准的单通道PoE受电设备(PD)控制器,采用16-WFDFN封装。该器件集成了完整的PD接口功能,包括侦测、分类以及一个用于浪涌电流控制的内置100V热插拔MOSFET,最大支持12.95W的功率获取,为后端DC/DC转换器提供稳定的输入。

其核心特性在于高集成度与设计灵活性。作为控制器(PD),DC/DC类型,它虽无内部功率开关,但包含了PWM控制器和驱动器,可高效驱动外部MOSFET构建隔离或非隔离电源。其工作电压高达57V,静态电流低至3mA,工作温度范围为0°C至70°C,适用于需要通过以太网线缆供电的各种网络终端设备的电源管理设计。

AD8318:1 MHz 至8 GHz 、70 dB对数检波器/控制器
HMC560A:22 GHz至38 GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器
ADM13307:三处理器监控器
LTC4228:双通道理想二极管和热插拔控制器
LTC2420:采用 SO-8 封装的 20 位、微功率、No Latency Σ ADC
LT5568-2:GSM/EDGE 优化型高线性度直接正交调制器
LT1002:双路、匹配的高精度运算放大器
HMC967:I/Q下变频器,采用SMT封装,21 - 24 GHz
ADG1422:2.1 Ω 最大导通电阻、 ±15 V/+12/±5 V iCMOS双通道单刀单掷开关
AD5325:2.5 V至5.5 V、500 μA、双线式接口、四通道、电压输出12位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装
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