还在为如何简洁高效地驱动高压侧MOSFET而寻找方案吗？LTC1982ES6#TRPBF就是您期待的答案。这颗来自ADI的栅极驱动器，能轻松将您1.8V至5.5V的低压逻辑信号，转换为足以完全开启高压轨上N沟道MOSFET的强大驱动能力，彻底省去复杂的外围自举电路。

它内置双通道独立高端驱动，采用紧凑的SOT-23-6封装，让您能在极其有限的空间内实现精准的电源开关控制。无论是管理电池供电设备的负载通断，还是构建高效的DC-DC转换器，它都能让您的系统设计更简洁、更可靠。其宽工作温度范围和反相输入逻辑，确保它在各种严苛环境下都能与您的控制核心稳定协同，助您轻松提升整体方案的能效与集成度。

• 制造商产品型号：LTC1982ES6#TRPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：1.8V ~ 5.5V
• 逻辑电压-VIL，VIH：0.6V，1.4V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：-
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：SOT-23-6
• LTC1982ES6#TRPBF优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。